PDIN - лавинный InGaAs фотодиод с активной областью 75 мкм

APD фотодиоды серии PDIN на базе структуры InGaAs оптимальны для диапазона длин волн от 950 до 1650 нм. Все фотодиоды предлагаются в коаксиальных корпусах с волоконным выводом или в корпусах в форме оптической розетки.

Диапазон длин волн
950 - 1650 нм
Полоса пропускания 2 ГГц
Чувствительность 0,8 А/Вт (1310 нм); 0,9 А/Вт (1550 нм)
Производитель:  NECSEL (PD-LD)
 

Параметр Значение Единица измерения
Рабочие длины волн 950 - 1650 нм
Чувствительность (с пигтейлом, 1550 нм, M=1) 0,9 А/Вт
Чувствительность (с пигтейлом, 1310 нм, M=1) 0,8 А/Вт
Аналоговая полоса пропускания (-3 дБ от 100 МГц; М=10, 50 Ом) 2 ГГц
Диаметр активной области 75 мкм
Общий темновой ток (М=10, Vr=0.9 Vb) 1 (тип); 10 (макс) нА
Напряжение пробоя 35 (мин); 50 (макс) В
Емкость (Vbr-0.9, M=10, f=1 МГц) 0,6 (тип); 1,0 макс пФ
Температурный коэффициент 0,09 В/°C
APD обратный ток 3 мкА
Максимальный коэффициент умножения 1310нм   25

 
Формирование партномера (артикула) для заказа
PDINDK075FCCB-MM
F: Тип волокна
CC: Тип коннектора
B: Тип держателя
MM: Длина пигтейла
Список моделей
Модель Тип коннектора Длина пигтейла Тип волокна Тип держателя Описание
PDINDK0752SAB-03 SC/APC3 м50/125 MMFПанель
PDINDK0751FCD-.5 FC/PC0,5 м9/125/900 SMFРейка
PDINDK075FC11 Фотодиод. Активная область 78 мкм. Тип корпуса "розетка"

Мой заказ
Мой заказ