PDINCC1.0 - чувствительные InGaAs PIN фотодиоды для 1000 - 1650 нм

PIN фотодиоды на базе структуры InGaAs с широкой активной зоной 1 мм. InGaAs фотодиоды данной серии оптимальны для работы с оптическими сигналами от 1000 до 1650 нм. Все фотодиоды предлагаются с волоконным коаксиальным гибким выводом или соединением в форме розетки.

Диапазон длин волн 1100 до 1650 нм
Частота оптического сигнала 30 МГц
Активная зона 1 мм
Чувствительность 0,9 А/Вт
Производитель:  NECSEL (PD-LD)
 

Основные характеристики:

Параметр Ед. Мин. Станд. Макс. Условия контроля
Длина волны нм 1000   1650  
Активная зона мм   1    
Чувствительность A/Вт 0,85 0,90   Vr=5В,   1550 нм
Темновой ток нА     5 Vr=5В, Tc=-25°C
Емкость пФ   100   Vr=5В
Сопротивление шунта М Ом 10      
Полоса пропускания МГц 30      

Максимально допустимые значения InGaAs (Tc=25°C):
Параметр Символ Значение Ед.
Обратное напряжение VR 10 В
Прямой ток IF 50 мА
Рабочая температура TOPR -40 до 85 °C
Температура хранения TSTR -40 до 85 °C
 Входная оптическая мощность P 50 мВт
Температура пайки   260/10 °C/сек

 

 

Мой заказ
Мой заказ