PULSELAS-P-1064-150-HE - микрочиповый лазер с пассивной модуляцией добротности и высокой энергией импульса

Лазер PULSELAS-P-1064-150-HE представляет собой микрочиповый лазер с пассивной модуляцией добротности с длительностью импульса 1 нс, высокой пиковой мощностью на длине волны 1064 нм и превосходным качеством пучка ТЕМ 00.
  • Длина волны 1064 нм. 
  • Энергия импульса 1500 мкДж (@100 Гц).
  • Выходная мощность 150 мВт (@100 Гц). 
  • Длительность импульса 1100 пс. 
  • Частота повторения 0 - 0,1 кГц.
  • Компактные размеры.
  • Превосходное качество пучка ТЕМ 00.
Производитель:  ALPHALAS

Лазер PULSELAS-P-1064-150-HE представляет собой микрочиповый лазер с пассивной модуляцией добротности с длительностью импульса 1 нс, высокой пиковой мощностью на длине волны 1064 нм и превосходным качеством пучка ТЕМ 00. Лазеры PULSELAS-P имеют запатентованную микрочиповую конструкцию. Монолитный лазерный резонатор надежно отъюстирован и поэтому очень стабилен.

Встроенный генератор частоты и внешний запуск TTL являются стандартными функциями для большинства моделей. Также доступно дополнительное преобразование в видимое излучение (532 нм) и ультрафиолетовое (355 нм, 266 нм).

Надежная и прочная конструкция микрочипа идеально подходит для промышленных приложений OEM. Компактный дизайн идеально подходит практически для любой системной интеграции. Варианты с волоконной накачкой обеспечивают еще большую компактность и гибкость.

Эти уникальные лазеры имеют очень широкий спектр применений, от генерации суперконтинуума в фотонно-кристаллических волокнах до зажигания двигателей внутреннего сгорания и микрообработки.

Особенности:

  • Пассивная модуляция добротности.
  • Компактные размеры (40×52×140 мм).
  • Запатентованная конструкция микрочипа.
  • Субнаносекундные импульсы на длине волны 1064 нм.
  • Высокая пиковая мощность и энергия импульса.
  • Частота повторения до 0,1 кГц.
  • Средняя мощность до 150 мВт.
  • Запускается внешним триггером с низким джиттером.
  • Преобразование частоты в 532, 355 и 266 нм (опционально).
  • Другие длины волн (например, 946 нм, 1342 нм) с наносекундными импульсами доступны по запросу.

Параметр Значение Ед.измерения
Длина волны 1064 нм
Энергия импульса (@100 Гц)1
1500 мкДж
Средняя мощность (@100 Гц)
150 (тип.) мВт
Длительность импульса
1100 (тип.) пс
Частота повторения импульсов
0 - 0,12 кГц
Профиль пучка
TEM₀₀
Коэффициент поляризации
> 100 : 1
Диаметр пучка
0,3 мм
Расходимость пучка
6 (тип.) мрад
Стабильность мощности
< 2 % RMS
Рабочая температура охладителя
+18..+30 °C
Размеры лазерной головки
40×52×1402 мм
Размеры , включая ЛД и TEC драйвер
LDF-30-P
360×160×375
мм
Рабочая температура
+18..+30 °C
Температура хранения без влажности
-10..+50 °C
  1. Модель лазера с высокой энергией и мощностью с волоконной накачкой. Лазерный диод установлен в LDF-30-P (лазерный диод и драйвер).
  2. Внутренний и внешний триггер являются стандартной опцией.

  • Обработка материалов.
  • Микрообработка.
  • Маркировка и резка особо твердых материалов (например, алмазов).
  • Нелинейная оптика.
  • Генерация суперконтинуума.
  • Измерения флуоресценции с временным разрешением.
  • ДНК-анализ.
  • Лидары и лазерные дальномеры.
  • Мониторинг загрязнения окружающей среды.
  • Лазерно-искровая эмиссионная спектрометрия (LIBS).
  • Воспламенение взрывчатых веществ, двигателей внутреннего сгорания и газовых смесей.

Модель Описание
PULSELAS-P-1064-150-HE Микрочиповый лазер с пассивной модуляцией добротности. Длина волны 1064 нм. Энергия импульса 1500 мкДж (@100 Гц). Выходная мощность 150 мВт (@100 Гц). Длительность импульса 1100 пс. Частота повторения 0 - 0,1 кГц.
Назад к разделу

Мой заказ