SNP-18E-100 - лазер с высокой энергией импульса

Лазерный микрочип SNG-18E-100 предназначен для получения лазерных импульсов длительностью 1 нс с высокой энергией импульсов более 18 мкДж с частотой повторения более 13 кГц на длине волны 1064 нм. Импульсы генерируются диодной накачкой с пассивной модуляцией добротности ND: YAG. Микрочипы удобны в работе и легки в обслуживании, с лазерной головкой может быть использован контроллер для изменения и сохранения постоянных характеристик. Предназначен для использования в системах обработки материалов, измерения расстояний, генерации суперконтинуума, биофотонике.

Особенности

• Длина волны 1064 нм;
• Частота повторения более 13 кГц;
• Ширина импульса менее 1 нс;
• Выходная мощность более 300 мВт;
• Выходная энергия более 18 мкДж.

Параметр	Значение	Ед.изм.
Длина волны	1064	нм
Частота повторения	>13	кГц
Ширина импульса (FWHM)	>3	нс
Выходная мощность	>300	мВт
Выходная энергия	>18	мкДж
Пиковая мощность	-	кВт
Кратковременная стабильность мощности (1 мин.)	<2	%
Долговременная стабильность мощности (6час)	<±5	%
Профиль пучка	гаус.TEM00
Полная угловая расходимость (1/е²)
горизонтальная	5,2±1	мрад
вертикальная	5,1±1	мрад
M²	<1,3
Эллиптичность пучка	<1,3
Поляризация	эллиптическая
Размеры блока	145х42х36	мм
Вес блока	300	Г
Опции	-

• Обработка материалов (решение вопросов эффективной маркировки, графитизация);
• Измерение расстояний;
• Лидары на основе дифференциального поглощения;
• Генерация суперконтинуума;
• Датчики температурного распределения;
• Рамановская спектроскопия;
• Биофотоника (нанохирургия, протеиновые соединения).

SNP-18E-100 - лазер с высокой энергией импульса 337.07(Kб)