SNP-20F-100 - лазер с высокой энергией импульса

Лазерный микрочип SNG-20F-100 отличается высокой энергией импульсов и высокой пиковой мощностью, предназначен для получения лазерных импульсов длительностью 1 нс с частотой повторения более 19 кГц на длине волны 1064 нм. Импульсы генерируются диодной накачкой с пассивной модуляцией добротности ND: YAG. Микрочипы удобны в работе и легки в обслуживании, с лазерной головкой может быть использован контроллер для изменения и сохранения постоянных характеристик. Предназначен для использования в системах обработки материалов, измерения расстояний, генерации суперконтинуума, биофотонике.

Особенности

• Длина волны 1064 нм;
• Частота повторения более 19 кГц;
• Ширина импульса менее 1 нс;
• Пиковая мощность более 10 кВт;
  
• Выходная мощность более 140 мВт;
• Выходная энергия более 7 мкДж.

Параметр	Значение	Ед.изм.
Длина волны	1064	нм
Частота повторения	>19	кГц
Ширина импульса (FWHM)	>1	нс
Выходная мощность	>140	мВт
Выходная энергия	>7	мкДж
Пиковая мощность	10	кВт
Кратковременная стабильность мощности (1 мин.)	<±1	%
Долговременная стабильность мощности (6час)	<±3	%
Профиль пучка	гаус.TEM00
Полная угловая расходимость (1/е²)
горизонтальная	13±5	мрад
вертикальная	13±5	мрад
M²	<1,3
Эллиптичность пучка	<1,3
Поляризация	линейная
Размеры блока	145х42х36	мм
Вес блока	300	Г
Опции	F, M, S

• Обработка материалов (решение вопросов эффективной маркировки, графитизация);
• Измерение расстояний;
• Лидары на основе дифференциального поглощения;
• Генерация суперконтинуума;
• Датчики температурного распределения;
• Рамановская спектроскопия;
• Биофотоника (нанохирургия, протеиновые соединения).

SNP-20F-100 - лазер с высокой энергией импульса 337.07(Kб)