SNP-20F-100 - лазер с высокой энергией импульса
Лазерный микрочип SNG-20F-100 с пиковой мощностью более 10 кВт, длительностью менее 1 нс и частотой повторения более 19 кГц работает на длине волны 1064 нм.
Длина волны | 1064 нм |
Длительность импульса |
1 нс |
Частота повторения | 13 кГц |
Пиковая мощность |
10 кВт |
Производитель: TEEM PHOTONICS
Лазерный микрочип SNG-20F-100 отличается высокой энергией импульсов и высокой пиковой мощностью, предназначен для получения лазерных импульсов длительностью 1 нс с частотой повторения более 19 кГц на длине волны 1064 нм. Импульсы генерируются диодной накачкой с пассивной модуляцией добротности ND: YAG. Микрочипы удобны в работе и легки в обслуживании, с лазерной головкой может быть использован контроллер для изменения и сохранения постоянных характеристик. Предназначен для использования в системах обработки материалов, измерения расстояний, генерации суперконтинуума, биофотонике.
Особенности
- Длина волны 1064 нм;
- Частота повторения более 19 кГц;
- Ширина импульса менее 1 нс;
- Пиковая мощность более 10 кВт;
- Выходная мощность более 140 мВт;
- Выходная энергия более 7 мкДж.
Параметр |
Значение | Ед.изм. |
---|---|---|
Длина волны | 1064 | нм |
Частота повторения | >19 | кГц |
Ширина импульса (FWHM) | >1 | нс |
Выходная мощность | >140 | мВт |
Выходная энергия | >7 | мкДж |
Пиковая мощность | 10 | кВт |
Кратковременная стабильность мощности (1 мин.) | <±1 | % |
Долговременная стабильность мощности (6час) | <±3 | % |
Профиль пучка | гаус.TEM00 |
|
Полная угловая расходимость (1/е²) |
|
|
горизонтальная | 13±5 | мрад |
вертикальная | 13±5 | мрад |
M² | <1,3 |
|
Эллиптичность пучка | <1,3 |
|
Поляризация | линейная |
|
Размеры блока | 145х42х36 | мм |
Вес блока | 300 | Г |
Опции |
F, M, S |
|
- Обработка материалов (решение вопросов эффективной маркировки, графитизация);
- Измерение расстояний;
- Лидары на основе дифференциального поглощения;
- Генерация суперконтинуума;
- Датчики температурного распределения;
- Рамановская спектроскопия;
- Биофотоника (нанохирургия, протеиновые соединения).