1999UMT - лазерные диоды накачки с ВБР

Серия неохлаждаемых диодов накачки 1999UMT с ВБР в корпусе 3 pin TO-56:

  • Длина волны 974/976 нм.
  • Выходная оптическая мощность до 200 мВт.
  • Тип корпуса 3 pin TO-56.

Производитель:  3SP TECHNOLOGIES
 

Параметр Мин. Макс. Ед. измерения
Пороговый ток
85 мА
Рабочая мощность 50 200 мВт
Центральная длина волны
974 +/- 1 нм
976 +/- 1 нм
Обратный ток

10 мкА
Прямой ток (100 мВт)

380 мА
Прямой ток (150 мВт)

450 мА
Прямой ток (200 мВт)

540 мА
Прямое напряжение

1,9 В   
Пиковое отклонение длины волны

+/- 0,5 нм
Смещение длины волны от температуры
0,02 нм/°C
Спектральная ширина (@ -3 дБ)

1 нм
Спектральная ширина (@ -13 дБ)

1 нм
Стабильность оптической мощности

3,5 %
Потребляемая мощность, EOL (100 мВт)

0,71 Вт
Потребляемая мощность, EOL (150 мВт)

0,84 Вт
Потребляемая мощность, EOL (200 мВт)

1 Вт
Параметры выходного оптического волокна
Тип волокна HI1060 или эквивалент

Диаметр оболочки
125 +/- 1 мкм
Диаметр покрытия
245 +/- 10 мкм
Эксцентриситет сердцевины оптоволокна
0,5 мкм
Диаметр модового поля 5,9 +/- 0,3 мкм
Длина пигтейла 0,8 м

  • Усилители EDFA
  • Датчики
  • CFP2 100 и 200G трансиверы

Модель Описание
3CN01770AA Лазерный диод накачки, 974 нм, 100 мВт
3CN01770AL Лазерный диод накачки, 974 нм, 150 мВт
3CN01770BA Лазерный диод накачки, 974 нм, 200 мВт
3CN01771AA Лазерный диод накачки, 976 нм, 100 мВт
3CN01771AL Лазерный диод накачки, 976 нм, 150 мВт
3CN01771BA Лазерный диод накачки, 976 нм, 200 мВт
Назад к разделу

Мой заказ