ГлавнаяКаталогЛазерные диоды. Диодные матрицы.Одиночные лазерные излучатели на сабмаунте

Одиночные лазерные излучатели на сабмаунте

CLDM-0635-0500-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке Длина волны 635 нм. Выходная мощность 500 мВт. Ширина излучателя 150 мкм.
Заказать
CLDM-0650-0300-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке Длина волны 650 нм. Выходная мощность 300 мВт. Ширина излучателя 100 мкм.
Заказать
CLDM-0670-0300-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке Длина волны 670 нм. Выходная мощность 300 мВт. Ширина излучателя 100 мкм.
Заказать
CLDM-0808-0500-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке Длина волны 808 нм. Выходная мощность 500 мВт. Ширина излучателя 50 мкм.
Заказать
CLDM-0808-1000-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке Длина волны 808 нм. Выходная мощность 1 Вт. Ширина излучателя 100 мкм.
Заказать
CLDM-0808-2000-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке Длина волны 808 нм. Выходная мощность 2 Вт. Ширина излучателя 100/150 мкм.
Заказать
CLDM-0980-0500-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке Длина волны 980 нм. Выходная мощность 500 мВт. Ширина излучателя 50 мкм.
Заказать
CLDM-0980-1000-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке Длина волны 980 нм. Выходная мощность 1000 мВт. Ширина излучателя 100 мкм.
Заказать
CLDM-0980-2000-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке Длина волны 980 нм. Выходная мощность 2 Вт. Ширина излучателя 150 мкм.
Заказать
LDAC1-0808-0020 - Сборки одиночных лазерных излучателей (линейки) без корпуса Длина волны 808нм. Выходная мощность 20 Вт. Режим работы CW. Коэффициент заполнения 20%.
Заказать
LDAC1-0808-0040 - Сборки одиночных лазерных излучателей (линейки) без корпуса Длина волны 808нм. Выходная мощность 40 Вт. Режим работы CW. Коэффициент заполнения 20%.
Заказать
LDAC1-0808-0100 - Сборки одиночных лазерных излучателей (линейки) без корпуса Длина волны 808 нм. Выходная мощность 100 Вт. Режим работы QCW. Коэффициент заполнения 87%.
Заказать
LDAC1-0808-0200 - Сборки одиночных лазерных излучателей (линейки) без корпуса Длина волны 808 нм. Выходная мощность 200 Вт. Режим работы QCW. Коэффициент заполнения 71%.
Заказать

Одиночные лазерные излучатели (чипы) на сабмаунте – это тип лазерных диодов, которые наряду с лазерами в корпусе «бабочка» и лазерами в корпусе C-Mount относятся к высокомощным Фабри-Перо лазерам на базе эпитаксиальной структуры с квантовой ямой.

Чипы на самбаунте от HTOE имеют две большие монтажные площадки, соединяемые золотой проволокой, обеспечивающие контакт полупроводника с катодом и анодом. Микросхема изготовлена с образованием резонатора Фабри-Перо лазера, настроенного для излучения на определенной длине волны. Эти диоды имеют структуру квантовой ямы. Кроме того, чипы не имеют встроенного контрольного фотодиода и должны работать в режиме постоянного тока. Излучатели требуют эффективное охлаждение с помощью термоэлектрического микроохладителя.

Полупроводниковые кристаллы (чипы) от компании HTOE имеют миниатюрные размеры, что делает их прекрасным OEM-решением. Накачка активной области кристалла осуществляется непосредственно от компактного безопасного низковольтного источника питания (рабочее напряжение составляет 2,3 В). Доступны модели с центральной длиной волны 635, 670, 808 и 980 нм. Выходная мощность излучателей достигает 2000 мВт.

Одиночные лазерные излучатели на сабмаунте активно применяются для накачки твердотельных и волоконных лазеров, которые в свою очередь могут использоваться в медицинской аппаратуре и научных задачах. К другим применением лазерных чипов можно отнести лазерные шоу и индикацию целей.

Мы рады предложить услуги по подбору и приобретению чипов на сабмаунте с требуемыми габаритами. Для заказа лазерных диодов с желаемыми характеристиками, а также продукции, представленной в разделе, свяжитесь со специалистами компании «Специальные системы. Фотоника» любым удобным для Вас способом.

Назад к разделу

Мой заказ
Мой заказ