CLDM-0808-1000-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке

  • Лазерный чип размещен на подложке
  • Центральная длина волны 808±5 нм
  • Выходная мощность 1 Вт
  • Ширина полоскового контакта 100 мкм
Производитель:  HI-TECH OPTOELECTRONICS (HTOE)
 

Параметр Значение Ед. измерения
Выходная мощность 1 Вт
Центральная длина волны 808±5 нм
Расходимость пучка θ⊥×θ∥ 40×10 °
Ширина излучателя 100 мкм
Ширина подложки 900 мкм
Длина подложки 500 мкм
Эффективность ≥ 1.10 Вт/А
Пороговый ток ≤ 0.24 А
Рабочий ток ≤ 1.20 А
Рабочее напряжение ≤ 2.00 В

  • Медицина
  • Лазерные прицелы
  • Лазерные шоу
  • Научные исследования

Модель Описание
CLDM-0808-1000-02 Одиночный лазерный излучатель на подложке. Длина волны 808 нм. Выходная мощность 1 Вт. Ширина излучателя 100 мкм.
Назад к разделу

Мой заказ