CLDM-0808-2000-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке
- Лазерный чип размещен на подложке
- Центральная длина волны 808±5 нм
- Выходная мощность 2 Вт
- Ширина полоскового контакта 100 или 150 мкм
Производитель: HI-TECH OPTOELECTRONICS (HTOE)
| Параметр | Значение | Ед. измерения |
|---|---|---|
| Выходная мощность | 2 | Вт |
| Центральная длина волны | 808±5 | нм |
| Расходимость пучка θ⊥×θ∥ | 40×10 | ° |
| Ширина излучателя | 100/150 | мкм |
| Ширина подложки | 500 | мкм |
| Длина подложки | 1500/1000 | мкм |
| Эффективность | ≥ 1.15 | Вт/А |
| Пороговый ток | ≤ 0.60 | А |
| Рабочий ток | ≤ 2.30 | А |
| Рабочее напряжение | ≤ 2.00 | В |
- Медицина
- Лазерные прицелы
- Лазерные шоу
- Научные исследования
Мой заказ
Мой заказ