CLDM-0808-2000-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке

  • Лазерный чип размещен на подложке
  • Центральная длина волны 808±5 нм
  • Выходная мощность 2 Вт
  • Ширина полоскового контакта 100 или 150 мкм
Производитель:  HI-TECH OPTOELECTRONICS (HTOE)
 

Параметр Значение Ед. измерения
Выходная мощность 2 Вт
Центральная длина волны 808±5 нм
Расходимость пучка θ⊥×θ∥ 40×10 °
Ширина излучателя 100/150 мкм
Ширина подложки 500 мкм
Длина подложки 1500/1000 мкм
Эффективность ≥ 1.15 Вт/А
Пороговый ток ≤ 0.60 А
Рабочий ток ≤ 2.30 А
Рабочее напряжение ≤ 2.00 В

  • Медицина
  • Лазерные прицелы
  • Лазерные шоу
  • Научные исследования

Модель Описание
CLDM-0808-2000-02 Одиночный лазерный излучатель на подложке. Длина волны 808 нм. Мощность 2 Вт. Ширина излучателя 150/100 мкм.
Назад к разделу

Мой заказ