CLDM-0808-2000-02 - Одиночный лазерный излучатель на подложке
- Лазерный чип размещен на подложке
- Центральная длина волны 808±5 нм
- Выходная мощность 2 Вт
- Ширина полоскового контакта 100 или 150 мкм
Производитель: HI-TECH OPTOELECTRONICS (HTOE)
Параметр | Значение | Ед. измерения |
---|---|---|
Выходная мощность | 2 | Вт |
Центральная длина волны | 808±5 | нм |
Расходимость пучка θ⊥×θ∥ | 40×10 | ° |
Ширина излучателя | 100/150 | мкм |
Ширина подложки | 500 | мкм |
Длина подложки | 1500/1000 | мкм |
Эффективность | ≥ 1.15 | Вт/А |
Пороговый ток | ≤ 0.60 | А |
Рабочий ток | ≤ 2.30 | А |
Рабочее напряжение | ≤ 2.00 | В |
- Медицина
- Лазерные прицелы
- Лазерные шоу
- Научные исследования