PNV-MO2510 - лазер с высокой пиковой мощностью
Лазерный микрочип PNV-MO2510 с пассивной модуляцией добротности имеет пиковую мощность более 200 кВт и длительность импульсов менее 350 пс с частотой повторения 1 кГц.
| Длина волны | 355 нм |
| Пиковая мощность | 60 кВт |
|
Длительность импульса |
350 пс |
| Частота повторения | 1 кГц |
Производитель: TEEM PHOTONICS
Лазерный микрочип PNU-МО1210 с пассивной модуляцией добротности, работающий на длине волны 266 нм, имеет пиковую мощность более 160 кВт и длительность импульсов менее 350 пс с частотой повторения 1 кГц.
Полностью интегрированная платформа включает в себя лазерную головку, блок питания и воздушное охлаждение и находится в компактном жестком блоке.
Особенности- Длина волны 355 нм;
- Частота повторения 1 кГц;
- Ширина импульса менее 350 пс;
- Энергия в импульсе более 25 мкДж;
- Пиковая мощность более 60 кВт.
|
Параметр |
Значение | Ед.измер. |
|---|---|---|
| Длина волны | 355 | нм |
| Маx частота повторения Rrmax | 1000 | Гц |
| Постоянная ширина импульса (FWHM) | <350 | пс |
| Выходная энергия | >25 | мкДж |
| Выходная мощность | >60 | кВт |
| Кратковременная стабильность |
|
|
| от импульса к импульсу (1 мин.) | ≤3 | % |
| Долговременная стабильность |
|
|
| выходной мощности (1час.) | ±5 | % |
|
Профиль пучка |
гауссов ТЕМ00 |
|
| Расходимость пучка (1/е²) |
|
|
| горизонтальная |
< 0,9 |
мрад. |
| вертикальная | <0,9 | мрад. |
| M² | <1,4 |
|
| Эллиптичность пучка | - |
|
| Поляризация | >20 | дБ |
- Обработка материалов (надписи на стекле, сверление печатных плат, микрообработка)
- MALDI-TOF
- Микродиссекция
- Лазерная индуцированная флуоресценция
- Флуоресценция с временным разрешением
- Спектроскопия лазерного индуцированного пробоя
- Обнаружение, измерение расстояний
Мой заказ
Мой заказ