HNG-70F-100 - микрочиповый лазер с высокой пиковой мощностью

Микрочиповый лазер серии PicoSpark, сочетающий высокую выходную мощность с отличными характеристиками импульса.

Длина волны 532 нм
Пиковая мощность >100 кВт
Длительность импульса <0,55 нс
Частота повторения >70 кГц

Производитель:  TEEM PHOTONICS

Лазерный чип HNG-50F-100 серии  PicoSpark объединяет многоваттный выходной уровень излучения с высокой частотой повторения и исключительные характеристики импульса, обеспечивает лучшее соотношение цена/качество для применения в микрообработке.

Технология лазерного микрочипа с пассивным модулятором добротности и волоконного усилителя обеспечивают импульсы с пиковой мощностью более 100 кВт и плотность мощности в сотни гигаватт на квадратный сантиметр в герметичном воздушно-охлаждаемом компактном блоке.

Архитектура основного генератора с волоконным усилителем предполагает полное управление импульсной энергией (или пиковой мощностью), оставляя неизменной ширину и вид импульса.

Основные особенности
  • Длина волны 532 нм;
  • Длительность импульсов меньше 0,55 нс;
  • Частота следования импульсов выше 70 кГц;
  • Пиковая мощность выше 100 кВт;
  • Выходная энергия более 50 мкДж;
  • Блестящее качество пучка — TEM00, М²<1,1;
  • Эффективность, воздушное охлаждение;
  • Герметичный блок, долгий срок службы.



Параметр
Значение
Ед.изм.
Длина волны 532 нм
Частота повторения >70 кГц
Ширина импульса (FWHM) <0,55 нс
Выходная мощность >4 Вт
Выходная энергия >50 мкДж
Пиковая мощность >100 кВт
Стабильность мощности, 10мин <±3 %
Стабильность мощности, 6 ч <±5 %
Профиль пучка гаус. TEM00
Диаметр пучка на выходе 0,65±0,2 мм
Полная угловая расходимость (1/е²)

горизонтальная ˂3±1 мрад
вертикальная ˂3±1 мрад
М² <1,2
Эллиптичность пучка <1,22
Поляризация линейная, PER>20
Функция контроля энергией RS232, анал. 0-5 В
Функция управления TTL 0 –5 В
Включенные опции Синхронизация/мониторинг TTL выходного сигнала

  • Микрообработка
◦ Селективная абляция областей мкм и нм масштаба
◦ Прокладка шва
◦ Резка от PCB до PCD без теплового эффекта

  • Инструментарий

◦   Спектроскопия лазерного индуцированного пробоя
◦   Рамановская спектроскопия
◦   Генерация суперконтинуума
◦   Дальнометрия
◦   Лидары с дифференциальным поглощением

  • Биофотоника

◦ Абляция плотных тканей
◦ Устранение татуировок
◦ Микрохирургия


Модель Описание
HNG-70F-100 Микрочиповый лазер. Длина волны: 532 нм. Пиковая мощность: >100 кВт. Длительность импульса: <0,55 нс. Частота повторения: >70 кГц.
Назад к разделу

Мой заказ