HNG-50F - лазер с усиленной выходной пиковой мощностью

Лазерный микрочип HNG-50F-100 с усиленной выходной пиковой мощностью выше 100 кВт с ультракороткими импульсами длительностью менее 0,65 пс на частоте повторения 45 кГц, работающий на длине волны 532 нм.

Длина волны 532 нм
Пиковая мощность 100 кВт
Длительность импульса 0,65 нс
Частота повторения 45 кГц

Производитель:  TEEM PHOTONICS

Лазерный чип HNG-50F-100 серии  "PicoSpark" объединяет многоваттный выходной уровень излучения с высокой частотой повторения и исключительные характеристики импульса, обеспечивает лучшее соотношение цена/качество для применения в микрообработке.

Технология лазерного микрочипа с пассивным модулятором добротности и волоконного усилителя обеспечивают импульсы с пиковой мощностью более 100 кВт и плотность мощности в сотни гигаватт на квадратный сантиметр в герметичном воздушно-охлаждаемом компактном блоке.

Архитектура основного генератора с волоконным усилителем предполагает полное управление импульсной энергией (или пиковой мощностью), оставляя неизменной ширину и вид импульса.

Основные особенности
  • Длина волны 532 нм;
  • Длительность импульсов меньше 0,65 нс;
  • Частота следования импульсов выше 45 кГц;
  • Пиковая мощность выше 100 кВт;
  • Выходная энергия более 60 мкДж;
  • Блестящее качество пучка — TEM00, М²<1,1;
  • Эффективный, с воздушным охлаждением;
  • Герметичный блок, экстремально длинное время жизни.



Параметр
Значение
Ед.изм.
Длина волны 532 нм
Частота повторения >45 кГц
Ширина импульса (FWHM) <0,65 нс
Выходная мощность >3 Вт
Выходная энергия >60 мкДж
Пиковая мощность >100 кВт



Кратковременная стабильность <±2 %
мощности (10мин)

Долговременная стабильность <±5 %
мощности (6час)




Профиль пучка гаус. TEM00
Диаметр пучка на выходе 0,65±0,2 мм
Полная угловая расходимость (1/е²)

горизонтальная ˂3±1 мрад
вертикальная ˂3±1 мрад
М² <1,2
Эллиптичность пучка <1,22



Поляризация линейная дБ

PER>20
Функция контроля энергией RS232

анал. 0-5 В
Функция управления TTL 0-5 В
Включенные опции S

  • Микрообработка
◦ Селективная абляция областей мкм и нм масштаба
◦ Прокладка шва
◦ Резка от PCB до PCD без теплового эффекта

  • Инструментарий

◦   Спектроскопия лазерного индуцированного пробоя
◦   Рамановская спектроскопия
◦   Генерация суперконтинуума
◦   Дальнометрия
◦   Лидары с дифференциальным поглощением

  • Биофотоника

◦ Абляция плотных тканей
◦ Устранение татуировок
◦ Микрохирургия


Модель Описание
HNG-50F Лазер с усиленной выходной пиковой мощностью100 кВт, длина волны 532 нм, длительность импульса 650 пс, частота повторения 45 кГц
Назад к разделу

Мой заказ