MNG-03Е-100 - микрочиповый лазер

Микрочиповые лазеры MNG-03E-100 c длительностью импульса менее 750 пс, пиковой мощностью более 4 кВт на длине волны 532 нм, работающие на частоте более 5 кГц и предназначенные для маркировки, дальнометрии и т.д.

Длина волны 532 нм
Пиковая мощность 4 кВт
Длительность импульса
750 пс
Частота повторения 5 кГц

Производитель:  TEEM PHOTONICS

Микрочиповые лазеры  MNG-03E-100 с длиной волны 532 нм интегрируют диодную накачку. Микрорезонатор и кристалл генерации второй гармоники в блоке менее 7 см. Длительность импульсов менее 0,75 нс, пиковая мощность более 4 кВт, энергия в импульсе более 3 мкДж с частотой повторения более 5 кГц.

Особенности

  • Ультракомпактный блок;
  • Длина волны 532 нм;
  • Ультракороткие импульсы до 750 пс;
  • Пиковая мощность более 4 кВт;
  • Выходная энергия более 3 мкВт;
  • Частота повторения более 5 кГц;   
  • Блестящее качество пучка— TEM00, М²<1,1;
  • Воздушное охлаждение.


Параметр
Значение
Ед.изм.
Длина волны 532 нм
Частота повторения >5 кГц
Ширина импульса (FWHM) <0,75 нс
Выходная мощность >15 мВт
Выходная энергия >3 мкДж
Пиковая мощность >4 кВт



Кратковременная стабильность <±1 %
мощности (1 мин.)

Долговременная стабильность <±3 %
мощности (6час)




Профиль пучка гаус.TEM00
Полная угловая расходимость (1/е²)

             горизонтальная 10±2 мрад
             вертикальная 9±2 мрад
<1,3
Эллиптичность пучка <1,3



Поляризация линейная

PER>20 дБ
Размеры блока 68х41х29 мм



Вес блока 250 Г

  • Генерация суперконтинуума
  • Маркировка
  • Рамановская спектрометрия
  • Дальнометрия

Модель Описание
MNG-03Е-100 Микрочиповый лазер, длина волны 532 нм, пиковая мощность 4 кВт, длительность импульса 750 пс, частота повторения 5 кГц
Назад к разделу

Мой заказ