MNG-03Е-100 - микрочиповый лазер

Микрочиповые лазеры  MNG-03E-100 с длиной волны 532 нм интегрируют диодную накачку. Микрорезонатор и кристалл генерации второй гармоники в блоке менее 7 см. Длительность импульсов менее 0,75 нс, пиковая мощность более 4 кВт, энергия в импульсе более 3 мкДж с частотой повторения более 5 кГц.

Особенности

• Ультракомпактный блок;
• Длина волны 532 нм;
• Ультракороткие импульсы до 750 пс;
• Пиковая мощность более 4 кВт;
• Выходная энергия более 3 мкВт;
• Частота повторения более 5 кГц;   
• Блестящее качество пучка— TEM00, М²<1,1;
• Воздушное охлаждение.

Параметр	Значение	Ед.изм.
Длина волны	532	нм
Частота повторения	>5	кГц
Ширина импульса (FWHM)	<0,75	нс
Выходная мощность	>15	мВт
Выходная энергия	>3	мкДж
Пиковая мощность	>4	кВт
Кратковременная стабильность	<±1	%
мощности (1 мин.)
Долговременная стабильность	<±3	%
мощности (6час)
Профиль пучка	гаус.TEM00
Полная угловая расходимость (1/е²)
горизонтальная	10±2	мрад
вертикальная	9±2	мрад
M²	<1,3
Эллиптичность пучка	<1,3
Поляризация	линейная
	PER>20	дБ
Размеры блока	68х41х29	мм
Вес блока	250	Г

• Генерация суперконтинуума
• Маркировка
• Рамановская спектрометрия
• Дальнометрия

MNG-03Е-100 - микрочиповый лазер 388.14(Kб)