MNG-03Е-100 - микрочиповый лазер
Микрочиповые лазеры MNG-03E-100 c длительностью импульса менее 750 пс, пиковой мощностью более 4 кВт на длине волны 532 нм, работающие на частоте более 5 кГц и предназначенные для маркировки, дальнометрии и т.д.
| Длина волны | 532 нм |
| Пиковая мощность | 4 кВт |
|
Длительность импульса |
750 пс |
| Частота повторения | 5 кГц |
Производитель: TEEM PHOTONICS
Микрочиповые лазеры MNG-03E-100 с длиной волны 532 нм интегрируют диодную накачку. Микрорезонатор и кристалл генерации второй гармоники в блоке менее 7 см. Длительность импульсов менее 0,75 нс, пиковая мощность более 4 кВт, энергия в импульсе более 3 мкДж с частотой повторения более 5 кГц.
Особенности
- Ультракомпактный блок;
- Длина волны 532 нм;
- Ультракороткие импульсы до 750 пс;
- Пиковая мощность более 4 кВт;
- Выходная энергия более 3 мкВт;
- Частота повторения более 5 кГц;
- Блестящее качество пучка— TEM00, М²<1,1;
- Воздушное охлаждение.
|
Параметр |
Значение |
Ед.изм. |
|---|---|---|
| Длина волны | 532 | нм |
| Частота повторения | >5 | кГц |
| Ширина импульса (FWHM) | <0,75 | нс |
| Выходная мощность | >15 | мВт |
| Выходная энергия | >3 | мкДж |
| Пиковая мощность | >4 | кВт |
|
|
|
|
| Кратковременная стабильность | <±1 | % |
| мощности (1 мин.) |
|
|
| Долговременная стабильность | <±3 | % |
| мощности (6час) |
|
|
|
|
|
|
| Профиль пучка | гаус.TEM00 |
|
| Полная угловая расходимость (1/е²) |
|
|
| горизонтальная | 10±2 | мрад |
| вертикальная | 9±2 | мрад |
| M² | <1,3 |
|
| Эллиптичность пучка | <1,3 |
|
|
|
|
|
| Поляризация | линейная |
|
|
|
PER>20 | дБ |
| Размеры блока | 68х41х29 | мм |
|
|
|
|
| Вес блока | 250 | Г |
- Генерация суперконтинуума
- Маркировка
- Рамановская спектрометрия
- Дальнометрия
MNG-03Е-100 - микрочиповый лазер 388.14(Kб)
Мой заказ