PNG-MO2010 - лазер с высокой пиковой мощностью
Лазерный микрочип PNG-MO2010 с пассивной модуляцией добротности имеет пиковую мощность более 50 кВт и длительность импульсов менее 400 пс с килогерцовой частотой повторения.
| Длина волны | 532 нм |
| Пиковая мощность | 50 кВт |
|
Длительность импульса |
400 пс |
| Частота повторения | 1 кГц |
Производитель: TEEM PHOTONICS
Лазерный микрочип PNG-MO2010 с пассивной модуляцией добротности, работающий на длине волны 532 нм, имеет пиковую мощность более 50 кВт и длительность импульсов менее 400 пс с килогерцовой частотой повторения.
Полностью интегрированная платформа включает в себя лазерную головку, блок питания и воздушное охлаждение и находится в компактном жестком блоке.
Особенности- Длина волны 532 нм;
- Частота повторения 1 кГц;
- Ширина импульса менее 400 пс;
- Энергия в импульсе более 20 мкДж;
- Пиковая мощность более 50 кВт
|
Параметр |
Значение | Ед.измер. |
|---|---|---|
| Длина волны | 532 | нм |
| Маx частота повторения Rrmax | 1000 | Гц |
| Постоянная ширина импульса (FWHM) | <400 | пс |
| Выходная энергия | >20 | мкДж |
| Выходная мощность | >50 | кВт |
| Кратковременная стабильность |
|
|
| от импульса к импульсу (1 мин.) | ≤3 | % |
| Долговременная стабильность |
|
|
| выходной мощности (1час.) | ±3 | % |
| Профиль пучка | гаус. TEM00 |
|
| Расходимость пучка (1/е²) |
|
|
| горизонтальная | 1,8±0,5 | мрад. |
| вертикальная | 1,8±0,5 | мрад. |
| M² | <1,3 |
|
| Эллиптичность пучка | <1,3 |
|
| Поляризация | >20 | дБ |
- Обработка материалов (надписи на стекле, сверление печатных плат, микрообработка)
- MALDI-TOF
- Микродиссекция
- Лазерная индуцированная флуоресценция
- Флуоресценция с временным разрешением
- Спектроскопия лазерного индуцированного пробоя
- Обнаружение, измерение расстояний
Мой заказ