PNG-MO2010 - лазер с высокой пиковой мощностью

Лазерный микрочип PNG-MO2010 с пассивной модуляцией добротности имеет пиковую мощность более 50 кВт и длительность импульсов менее 400 пс с килогерцовой частотой повторения.

Длина волны 532 нм
Пиковая мощность 50 кВт
Длительность импульса
400 пс
Частота повторения 1 кГц

Производитель:  TEEM PHOTONICS

Лазерный микрочип PNG-MO2010 с пассивной модуляцией добротности, работающий на длине волны 532 нм,  имеет пиковую мощность более 50 кВт и длительность импульсов менее 400 пс с килогерцовой частотой повторения. 

Полностью интегрированная платформа включает в себя лазерную головку, блок питания и воздушное охлаждение и находится в компактном жестком блоке.

Особенности
  • Длина волны 532 нм;
  • Частота повторения 1 кГц;
  • Ширина импульса менее 400 пс;
  • Энергия в импульсе более 20 мкДж;
  • Пиковая мощность более 50 кВт


Параметр
Значение Ед.измер.
Длина волны 532 нм
Маx частота повторения Rrmax 1000 Гц
Постоянная ширина импульса (FWHM) <400 пс
Выходная энергия >20 мкДж
Выходная мощность >50 кВт
Кратковременная стабильность

от импульса к импульсу (1 мин.) ≤3 %
Долговременная стабильность

выходной мощности (1час.) ±3 %
Профиль пучка гаус. TEM00
Расходимость пучка (1/е²)

           горизонтальная 1,8±0,5 мрад.
           вертикальная 1,8±0,5 мрад.
<1,3
Эллиптичность пучка <1,3
Поляризация >20 дБ

  • Обработка материалов (надписи на стекле, сверление печатных плат, микрообработка)
  • MALDI-TOF
  • Микродиссекция
  • Лазерная индуцированная флуоресценция
  • Флуоресценция с временным разрешением
  • Спектроскопия лазерного индуцированного пробоя
  • Обнаружение, измерение расстояний

Модель Описание
PNG-MO2010 Лазер с высокой пиковой мощностью, длина волны 532 нм, пиковая мощность 50 кВт, длительность импульса 400 пс, частота повторения 1 кГц
Назад к разделу

Мой заказ