SNG-03E-100 - лазер с высокой пиковой мощностью

Лазерный микрочип SNG-03E-100 с пиковой мощностью несколько киловатт работает на длине волны 532 нм с импульсами длительностью менее 0,75 нс с частотой повторения более 5 кГц, которые обеспечиваются преобразованием ИК излучения.

Длина волны 532нм
Пиковая мощность 4 кВт
Длительность импульса
750 пс
Частота повторения 5 кГц

Производитель:  TEEM PHOTONICS

Лазерный микрочип SNG-03Е-100 предназначен для получения лазерных импульсов длительностью 750 пс с высокой пиковой мощностью более 4 кВт на частоте повторения более 5 кГц на длине волны 532 нм. Импульсы на длине волны 532 нм формируются преобразованием ИК излучения. Микрочип экономичен и компактен, легок в обслуживании. Предназначен для использования в системах обработки материалов, измерения расстояний, генерации суперконтинуума, биофотонике.

Особенности
  • Длина волны 532 нм;
  • Частота повторения более 5 кГц;
  • Ширина импульса менее 750 пс;
  • Пиковая мощность более 4 кВт.


Параметр
Значение Ед.изм.
Длина волны 532 нм
Частота повторения > 5 кГц
Ширина импульса (FWHM) <0,75 нс
Выходная мощность >15 мВт
Выходная энергия >3 мкДж
Пиковая мощность >4 кВт



Кратковременная стабильность <±1 %
мощности (1 мин.)

Долговременная стабильность <±3 %
мощности (6час)




Профиль пучка гаус.TEM00
Полная угловая расходимость (1/е²)

             горизонтальная 10±2 мрад
             вертикальная 9±2 мрад
<1,3
Эллиптичность пучка <1,3



Поляризация линейная

PER>20 дБ



Размеры блока 115х20х35 мм
Вес блока 250 Г

  • Обработка материалов (решение вопросов эффективной маркировки, графитизация);
  • Измерение расстояний;
  • Лидары на основе дифференциального поглощения;
  • Генерация суперконтинуума;
  • Датчики температурного распределения;
  • Рамановская спектроскопия;
  • Биофотоника (нанохирургия, протеиновые соединения).


Модель Описание
SNG-03E-100 Лазер с высокой пиковой мощностью (4 кВт), длина волны 532 нм, длительность импульса 750 пс, частота повторения 5 кГц
Назад к разделу

Мой заказ