SNG-20F-100 - лазер с высокой пиковой мощностью

Лазерный микрочип SNG-20F-100 предназначен для получения лазерных импульсов длительностью 750 пс с высокой пиковой мощностью более 4 кВт на частоте повторения более 19 кГц на длине волны 532 нм. Импульсы на длине волны 532 нм формируются преобразованием ИК излучения. Лазер имеет одномодовый режим работы и хорошее качество оптического пучка. Микрочип экономичен и компактен, легок в обслуживании. Предназначен для использования в системах обработки материалов, измерения расстояний, генерации суперконтинуума, биофотонике.

Особенности

• Длина волны 532 нм;
• Частота повторения более 19 кГц;
• Ширина импульса менее 750 пс;
• Пиковая мощность более 3 кВт;
• Выходная мощность более 48 мВт;
• Выходная энергия более 2,5 мкДж.

Параметр	Значение	Ед.изм.
Длина волны	532	нм
Частота повторения	> 19	кГц
Ширина импульса (FWHM)	<0,75	нс
Выходная мощность	>48	мВт
Выходная энергия	>2,5	мкДж
Пиковая мощность	>3	кВт
Кратковременная стабильность мощности (1 мин.)	<±1	%
Долговременная стабильность мощности (6час)	<±3	%
Профиль пучка	гаус.TEM00
Полная угловая расходимость (1/е²)
горизонтальная	10±2	мрад
вертикальная	9±2	мрад
M²	<1,3
Эллиптичность пучка	<1,3
Поляризация	линейная
	PER>20	дБ
Размеры блока	145х42х35	мм
Вес блока	300	Г
Опции	S

• Обработка материалов (решение вопросов эффективной маркировки, графитизация);
• Измерение расстояний;
• Лидары на основе дифференциального поглощения;
• Генерация суперконтинуума;
• Датчики температурного распределения;
• Рамановская спектроскопия;
• Биофотоника (нанохирургия, протеиновые соединения).

SNG-20F-100 - лазер с высокой пиковой мощностью 331.78(Kб)