ГлавнаяНовости2022LASKIT-500 – DPSS лазерный набор для обучения и исследований от Alphalas (Германия)

LASKIT-500 – DPSS лазерный набор для обучения и исследований от Alphalas (Германия)

20.01.2022

LASKIT-500 – это универсальный DPSS лазерный комплект от компании Alphalas (Германия), предназначенный для обучения, исследований и испытаний с пятью режимами работы. По запросу производитель также может предложить пикосекундную версию набора и версию с волоконной накачкой. LASKIT-500  может быть использован для исследования следующих основ лазерной теории и практики:

  • Области стабильности лазерного резонатора.
  • Различные моды поперечного резонатора (TEM₀₀ и выше).
  • Оптимальная конфигурация резонатора для режима TEM₀₀.
  • Оптимальная выходная связь.
  • Порог возбуждения лазера и дифференциальная эффективность.
  • Пороговые явления пассивной модуляции добротности, формы импульсов, оптимизация для максимальной выходной мощности и максимальной выходной энергии, условия наименьшего импульса.
  • Внутреннее удвоение частоты в CW-режиме.
  • Внешнее удвоение частоты в режиме модуляции добротности.
  • Время жизни флуоресценции активной среды.
  • Динамика лазера (затухающие колебания, модуляция добротности), зависимость от параметров активной среды; сравнение различных активных сред (Nd:YAG и Nd:YVO₄).
  • И многое другое.

LASKIT-500 включает в себя:

  • Лазерный диод накачки с TEC и присоединенной оптикой накачки.
  • Драйвер лазерного диода и контроллер TEC LDD1-1T (опционально: LPS1-2T, микропроцессорное управление).
  • Лазерный кристалл Nd:YAG (опционально Nd:YVO₄) с радиатором.
  • Комплект из двух зеркал лазерного резонатора (плоских/изогнутых).
  • Пассивный переключатель добротности Cr4+:YAG, AR/AR покрытие.
  • KTP удвоитель частоты со специальными покрытиями, в держателе.
  • Крепления для зеркал и кристаллов (3 шт.).
  • Оптическая скамья.
  • Диодный лазерный модуль (670 мм) для юстировки резонатора лазера, с держателем.
  • Преобразователь ИК-излучения в видимое (модель IR-VIS-15-B), Ø 15 мм, для юстировки ИК-лазера и анализа мод (также подходит для мощных лазеров).
  • Сверхбыстрый фотодетектор (модель UPD-300-SP) с временем нарастания <300 пс, спектральный диапазон 320 - 1100 нм, внешний источник питания, подходит для наблюдения затухающих. колебаний и длительности импульса в режиме модуляции добротности.
  • Линейная ПЗС матрица (модель CCD-2000M) с 2048 пикселями, высокой чувствительностью, электроникой управления и источником питания, подходящая для анализа лазерного луча, измерений M², автокорреляторов и т.д.
Лазерный кристалл, пассивный модулятор добротности и KTP удвоитель монтируются в специальные держатели для быстрой и легкой замены, юстировки и использования. Переключение с одного режима работы на другой (например, с CW на Q-switched или с IR на удвоение частоты) можно выполнить за минуту.

Пять режимов работы:
Режим работы Выходная мощность Nd: YAG лазерного кристалла Выходная мощность Nd:YVO₄ лазерного кристалла Длительность импульса/частота повторения Примечания
CW @ 1064 нм 300 мВт (мин); 500 мВт (тип) 300 мВт (мин); 500 мВт (тип) - ТЭМ₀₀ с плосковогнутой полостью
Q-Switched @ 1064 нм 80 мВт (мин); 100 мВт (тип) 80 мВт (мин); 100 мВт (тип) Nd:YAG : 10 - 50 нс, 5 - 50 кГц
Nd:YVO₄ : 50 - 100 нс, 50 - 100 кГц
Пассивная модуляция добротности с кристаллом Cr4+:YAG
CW @ 532 нм 10 мВт (мин); 15 мВт (тип) 20 мВт (мин); 40 мВт (тип) - Внутрирезонаторное удвоение частоты
Q-Switched @ 532 нм 20 мВт (мин); 25 мВт (тип) 5 мВт (мин); 10 мВт (тип) Nd:YAG : 10 - 30 нс
Nd:YVO₄ : 50 - 100 нс
Удвоенная внутрирезонаторная частота и пассивная модуляция добротности с кристаллом Cr4+:YAG
Q-Switched @ 532 нм 300 мВт (мин); 500 мВт (тип) 3 мВт (мин); 5 мВт (тип) Nd:YAG : 10 - 40 нс
Nd:YVO₄ : 50 - 100 нс
См. опцию -E-SHG ниже. Внешнее удвоение частоты с дополнительным KTP кристаллом длиной 8 мм и фокусирующей линзой


LASKIT-500 – опции:

Опция Описание Средняя мощность Выходная энергия Длительность импульса Пиковая мощность Примечания
-EOD Actively Q-Switched @ 1064 nm (Nd3+:YAG) 20 мВт при 1 кГц;
100 мВт при 10 кГц
20 мкДж при 1 кГц;
10 мкДж при 10 кГц
25 нс при 1 кГц;
50 нс при 10 кГц
1 кВт при 1 кГц;
0,2 кВт при 10 кГц
Электрооптический дефлектор (EOD) в качестве активного переключателя добротности.
Рабочее напряжение: макс. 1 кВ,
Длительность импульса ВН <1 мкс.
-PC Actively Q-Switched @ 1064 nm (Nd3+:YAG) 35 мВт при 1 кГц;
100 мВт при 10 кГц
35 мкДж при 1 кГц;
10 мкДж при 10 кГц
35 нс при 1 кГц;
50 нс при 10 кГц
1 кВт при 1 кГц;
0,2 кВт при 10 кГц
Ячейка Поккельса в качестве активного переключателя добротности.
Рабочее напряжение: макс. 1 кВ,
Длительность импульса ВН <1 мкс
-MC Monolithic MICROCHIP Laser (Cr4+:Nd3+:YAG) 120 мВт (мин); 140 мВт (тип) 5 мкДж (мин); 10 мкДж (тип) 800 пс 10 кВт Внешнее удвоение частоты, мин. эффективность 40% с дополнительным кристаллом KTP 8 мм и линзой
-E-SHG Внешнее удвоение частоты при 532 нм
-THG Внешнее утроение частоты при 355 нм
-FHG Внешнее учетверение частоты при 266 нм


Спецификация:

ALPHALAS (Германия) - компания основана в 1997 в университетском городке Геттинген в Германии, по соседству с Институтом Макса Планка. Производитель предлагает различные оптоэлектронные устройства и компоненты, предназначенные для измерения различных параметров лазера. Помимо стандартных позиции, производитель может предложить также изготовление устройств под требования заказчика. Другими направлениями деятельности компании является производство лазеров, лазерных систем, лазерной электроники и компонент.

Компания «Специальные Системы. Фотоника» является официальным дистрибьютором компании Alphalas и оказывает техническую поддержку по всей линейке продукции Alphalas на территории России и ЕАЭС.

Вы можете получить любую дополнительную информацию о продукции и технологиях Alphalasобратившись к специалистам нашей компании.

Возврат к списку


Мой заказ