Максимум выгоды, минимум ожидания - большая распродажа фотодетекторов!

PIN фотодетекторы с усилителем

PIN фотодетектор представляет собой полупроводниковое устройство, в котором между p-слоем с дырочной проводимостью и n-слоем с электронной проводимостью расположен нелегированный (внутренний) i-слой. В результате фотоэффекта в i-слое генерируются электронно-дырочные пары, количество которых пропорционально энергии поглощенного фотона. Такая структура эффективно преобразует оптическое излучение в электрический сигнал, обеспечивая высокую чувствительность и точность детектирования. Наличие встроенного усилителя позволяет улучшить качество сигнала, что делает их идеальными для применения в телекоммуникациях, лазерных системах и оптических измерениях.

• Si или InGaAs детекторы.
• Диапазон длин волн от 320 нм до 1700 нм.
• Полоса пропускания от 50 кГц до 1 ГГц.
• Коэффициент усиления до 1,0×10⁶ В/Вт.

Выбрать PIN фотодетекторы с усилителем из наличия > >

Модули лавинных (APD) детекторов

Лавинные фотодетекторы (APD) усиливают слабый оптический сигнал за счёт лавинного умножения. При поглощении фотона создаются электронно-дырочные пары, которые ускоряются под действием высокого напряжения. В процессе ускорения электроны выбивают новые пары – происходит лавинообразная генерация, позволяющая усиливать электрический сигнал. Это делает APD идеальными для применения в условиях, где требуется обнаружение слабых оптических сигналов.

• Материалы Si и InGaAs.
• Диапазон длин волн от 300 нм до 1700 нм.
• Полоса пропускания от 50 кГц до 1 ГГц.
• Коэффициент усиления до 1,6×10⁷ В/Вт.

Выбрать лавинные фотодетекторы из наличия > >

Модули балансных фотодетекторов

Балансные или дифференциальные фотодетекторы работают путем измерения разности между двумя входными оптическими сигналами. Детектор вычитает один сигнал из другого, подавляя шум и улучшая чувствительность, что делает их эффективными для применения в системах когерентной оптической связи и точных измерениях.

• Диапазон длин волн от 400 нм до 1700 нм.
• Полоса пропускания от 10 МГц до 400 МГц.
• Материалы Si и InGaAs.
• Доступны модели с регулировкой усиления.

Выбрать балансные фотодетекторы из наличия > >

Модули фотодетекторов со смещением

Фотодетекторы со смещением работают при приложении внешнего обратного напряжения, что увеличивает чувствительность и скорость реакции. Напряжение расширяет обеднённую область в полупроводнике, где создаются под воздействием света электронно-дырочные пары. Это улучшает сбор заряда и уменьшает время отклика, что делает такие фотодетекторы эффективными в высокочувствиельных применениях и для обнаружения слабых сигналов.

• Диапазон длин волн от 320 нм до 2600 нм.
• Полоса пропускания от 20 МГц до 5 ГГц.
• Материалы Si и InGaAs.
• Время нарастания от 80 пс до 3,5 нс.

Выбрать фотодетекторы со смещением из наличия > >