LP-ML1001 - DFB лазерный диод с прямой модуляцией

DFB лазерный диод с прямой модуляцией от LD-PD (Сингапур)
  • Полоса пропускания от 10 МГц до 10-20 ГГц
  • Центральная длина волны 1550 / 1310 нм
  • Выходная мощность до 18 дБм
  • 7-pin корпус
  • RIN -150 дБ/Гц
Производитель:  LD-PD

DFB лазерный диод с прямой модуляцией от LD-PD (Сингапур) обеспечивает исключительную производительность для аналоговой оптоволоконной связи в применениях с широкой полосой пропускания. Лазерные диоды серии ML1001 являются отличной альтернативой использованию коаксиальных кабельных систем для передачи сигналов в диапазоне от 10 МГц до 20 ГГц. Устройства обеспечивают значительное повышение надежности сетей РЧ связи за счет передачи РЧ-сигнала в его исходном формате. Благодаря этим свойствам лазерные модули обеспечивают значительное улучшение качества сигнала для широкого круга приложений, включая дистанционное управление антеннами, телеметрию, синхронизацию и распределение опорных сигналов, измерения и линии задержки.

Особенности:

  • Высокий динамический диапазон
  • Полоса пропускания от 10 МГц до 10-20 ГГц
  • Низкий пороговый ток
  • Высокая выходная мощность
  • Рабочая температура корпуса: от -40 до 85 °C
  • Высокая надежность

Параметр Мин. Тип. Макс. Ед. измерения
Оптическая выходная мощность 6 8 - дБм
Пороговый ток - 10 - мА
Рабочий ток - 55 100 мА
Рабочее напряжение - 1,5 2,5 В
Центральная длина волны - 1310 / 1550 - нм
SMSR 30 - - дБ
RIN - -150 -130 дБ/Гц
Полоса пропускания - 18 - ГГц
Обратные потери - -10 -6 дБ
Ток TEC - - 1,2 А
Напряжение TEC - - 2,5 В
Рабочий температурный диапазон -40 - +85 С

  • Удалённые антенны
  • Сотовые и локальные сети
  • Радиофотонные системы
  • Системы слежения, телеметрии и контроля

Модель Описание
LP-ML1001D-31-FA

Лазерный диод с прямой модуляцией до 20 ГГц, 1310 нм, 6.31 мВт

LP-ML1001B-31-FA

Лазерный диод с прямой модуляцией до 15 ГГц, 1310 нм, 6.31 мВт

LP-ML1001A-31-FA

Лазерный диод с прямой модуляцией до 10 ГГц, 1310 нм, 6.31 мВт

LP-ML1001A-55-FA

Лазерный диод с прямой модуляцией до 10 ГГц, 1550 нм, 6.31 мВт

LP-ML1001C-31-FA

Лазерный диод с прямой модуляцией до 18 ГГц, 1310 нм, 6.31 мВт

LP-ML1001B-55-FA

Лазерный диод с прямой модуляцией до 20 ГГц, 1550 нм, 6.31 мВт

LP-ML1001C-55-FA

Лазерный диод с прямой модуляцией до 18 ГГц, 1550 нм, 6.31 мВт

LP-ML1001X-XX-XX

Лазерный диод с прямой модуляцией, (требуется указать параметры)

Назад к разделу

Мой заказ