ГлавнаяКаталогОптические приемники. Фотодиоды и детекторыФотоприемные модули (Si / InGaAs)Модули фотодетекторов со смещением (400 — 1700 нм)
Модули фотодетекторов со смещением (400 — 1700 нм)
DET20-20M - модуль фотодетектора со смещением
Диапазон длин волн 320 - 1000 нм. Полоса пропускания 20 МГц. Размер активной области 3,6х3,6 мм. Время нарастания до 18 нс. Материал Si.
DET40A-100M - модуль фотодетектора со смещением
Диапазон длин волн 320 - 1000 нм. Полоса пропускания 100 МГц. Размер активной области Ф1,2 мм. Время нарастания до 3,5 нс. Материал Si.
DET40A-500M - модуль фотодетектора со смещением
Диапазон длин волн 320 - 1000 нм. Полоса пропускания 500 МГц. Размер активной области 0,8 мм. Время нарастания до 0,8 нс. Материал Si.
DET40A-1G - модуль фотодетектора со смещением
Диапазон длин волн 320 - 1000 нм. Полоса пропускания 1 ГГц. Размер активной области 0,4 мм. Время нарастания до 0,35 нс. Материал Si.
DET30A-1G - модуль фотодетектора со смещением
Диапазон длин волн 400-1000 нм. Полоса пропускания 1 ГГц. Размер активной области 200 мкм. Время нарастания до 350 пс. Материал Si.
DET30A-2G - модуль фотодетектора со смещением
Диапазон длин волн 400-1000 нм. Полоса пропускания 2 ГГц. Размер активной области 70 мкм. Время нарастания до 185 пс. Материал Si.
DET30C-2G - модуль фотодетектора со смещением
Диапазон длин волн 1000-1700 нм. Полоса пропускания 2 ГГц. Размер активной области 70 мкм. Время нарастания до 180 пс. Материал InGaAs.
DET40C-2G - модуль фотодетектора со смещением
Диапазон длин волн 1000 - 1700 нм. Полоса пропускания 2 ГГц. Размер активной области 70 мкм. Время нарастания до 0,18 нс. Материал InGaAs.
DET30C-5G - модуль фотодетектора со смещением
Диапазон длин волн 1000-1700 нм. Полоса пропускания 5 ГГц. Размер активной области 40 мкм. Время нарастания до 80 пс. Материал InGaAs.
DET40C-5G - модуль фотодетектора со смещением
Диапазон длин волн 1000 - 1700 нм. Полоса пропускания 5 ГГц. Размер активной области 40 мкм. Время нарастания до 0,08 нс. Материал InGaAs.
Фотоприемники со смещением - это устройства, разработанные для обнаружения слабых световых сигналов при наличии заранее установленного смещения напряжения. Они способны регистрировать самые слабые изменения светового излучения.
Фотоприемные модули со смещением работают на основе принципа полупроводникового перехода. При попадании света на переход происходит генерация электронно-дырочных пар. При наличии напряжения смещения, электроны и дырки создают электрический ток пропорциональный интенсивности падающего света. Однако наличие заданного напряжения смещения позволяет увеличить чувствительность к слабым световым сигналам. При выборе подходящего устройства обратите внимание на следующие характеристики:
- Полоса пропускания. Данный параметр показывает на каких частотах сигнал будет передаваться без искажений его формы.
- Спектральный диапазон. Характеристика зависит от используемого материала полупроводника.
Область применения фотодетекторов со смещением:
Фотоприемники используются в научных исследованиях, медицинской диагностике, связи и коммуникациях, а также в инженерии и промышленности. Фотодетекторы со смещением предоставляют возможность измерения световых сигналов с высокой точностью, что делает их важными компонентами в различных измерительных системах и оборудовании.- Мониторинг непрерывных или быстрых импульсных лазеров.
- Детектирование импульсного светового излучения.
- Беспроводная и видимая оптическая связь.
- Квантовая связь.
Фильтр