SSP-NSQ-EO-532-H - импульсный твердотельный лазер с модуляцией добротности

Твердотельный импульсный лазер с диодной накачкой и модуляцией добротности, работающий на длине волны 532 нм, обладает высокой энергией, короткой длительностью импульса и высокой пиковой мощностью и имеет широкий спектр применений.
  • Длина волны: 532 нм. 
  • Энергия импульса: 0,4-0,8 мДж (4@5 кГц, 0,8@3 кГц). 
  • Длительность импульса: <6-<10 нс (<6@5 кГц, <10@3 кГц). 
  •  Частота повторения: 1-10 кГц.
 

Параметр Значение Ед. измерения

SSP-NSQ-EO-532-H-0.4 SSP-NSQ-EO-532-H-0.8
Длина волны 532±1 нм
Режим работы
электрооптическая модуляция добротности
Энергия импульса
0,4@5кГц 0,8@3кГц мДж
Частота повторения
1-10 1-3 кГц
Длительность импульса
<6@5кГц <10@3кГц нс
Время прогрева
<15 мин
Стабильность
<2%, <1% %
М2
<1,5 <2
Расходимость пучка
<3 мрад
Диаметр пучка
1 мм
Высота пучка
76,5 85 мм
Метод охлаждения
кондуктивный воздушный
Рабочая температура
20..55
Источник питания
PSU-EO-H

  • Научные исследования. 
  • Лазерные радары.
  • Топография.
  • Лазерная маркировка.
  • Лазерная резка.
  • Микропроцессинг.

Модель Описание
SSP-NSQ-EO-532-H-0.4 Импульсный твердотельный лазер с модуляцией добротности. Длина волны: 532 нм. Энергия импульса: 0,4 мДж @5 кГц. Длительность импульса: <6 нс @5 кГц. Частота повторения: 1-10 кГц. 
SSP-NSQ-EO-532-H-0.8 Импульсный твердотельный лазер с модуляцией добротности. Длина волны: 532 нм. Энергия импульса: 0,8 мДж @3 кГц. Длительность импульса: <10 нс @3 кГц. Частота повторения: 1-3 кГц. 
Назад к разделу

Мой заказ