ГлавнаяКаталогОптические приемники. Фотодиоды и детекторыФотодиоды и фотоприемники для ВОЛС и радиофотоникиСВЧ фотодиоды с волоконным вводом излучения (от 6 до 65 ГГц)AMPD-D - Высокоскоростной InGaAs фотодетектор с усилителем
AMPD-D - Высокоскоростной InGaAs фотодетектор с усилителем
InGaAs фотодетектор серии AMPD-D c усилителем
- Диапазон рабочих длин волн от 1000 до 1650 нм
- Частотный диапазон до 12 ГГц, 20 ГГц
- Чувствительность 0,85 А/Вт
- Входная оптическая мощность до 10 дБм
- РЧ усиление сигнала 30 дБ
Производитель: NEON
Серия AMPD-D представляет собой быстродействующий фотодетектор, интегрированный с широкополосным InGaAs фотодиодом и малошумящим усилителем. Длина волны отклика InGaAs PIN-фотодиода составляет от 1000 до 1650 нм. РЧ усиление малошумящего усилителя составляет 30 дБ.
AMPD-D может обеспечивать полосу пропускания до 12 ГГц и 20 ГГц. Модуль работает от напряжения питания +9 В.
Особенности:
- Широкая полоса пропускания
- Bias-T
- Низкий уровень шума
- Высокое усиление
- Разъем SMA
- Малый вес менее 23 гр
- ROHS 2.0
| Параметр |
Значение |
Ед. измерения | |
|---|---|---|---|
| Диапазон длин волн | 1000 - 1650 | нм | |
| Частотный диапазон | X - диапазон | Ku - диапазон | - |
| Полоса пропускания | 0,3 - 12 | 2 - 20 | ГГц |
| Чувствительность (1310 нм) |
≥ 0,8 |
≥ 0,85 |
А/Вт |
|
Чувствительность (1550 нм) |
≥ 0,85 |
≥ 0,8 |
А/Вт |
|
Амплитудная неравномерность |
≤ ± 2 |
дБ | |
| Оптическая мощность насыщения | 10 | дБм | |
| РЧ усиление сигнала | 30 +/- 1 | дБ | |
| Выходной VSWR |
≤ 2 |
- | |
| Выходное сопротивление | 50 | Ом | |
| Диапазон температуры хранения | -55 ~ +100 | С | |
| Рабочий температурный диапазон | -40 ~ +85 | С | |
| Напряжение смещения | +9 ~ +12 | В | |
| Оптическая входная мощность | 10 | дБм | |
- Передача аналогового сигнала на удаленные антенны
- Комплексы РЭБ с радиофотоникой.
- Линии задержки, тестирование АФАР
Мой заказ