Максимальная чувствительность: расширенный выбор фотодиодов для точного обнаружения света!

Мы рады сообщить об обновлении нашего раздела, посвященного дискретным фотодиодам в ТО-корпусах и с волоконным вводом. Эти высокотехнологичные компоненты становятся всё более важными в современных системах оптической связи и датчиков. В нашем обновленном разделе вы найдете актуальную информацию о последних моделях, их характеристиках и применении, а также сможете познакомиться с новыми практическими решениями для ваших задач.

Фотодиоды представляют собой эффективные и компактные компоненты для детектирования оптического излучения и находят применение в различных сферах. Их популярность объясняется высокой надежностью, длительным сроком службы и возможностью интеграции в волоконно-оптические системы.

Область применения:

• Оптическая связь.
• Волоконные датчики.
• Системы тестирования.
• Детекторы слабого света.
• Спектрометры.
• Лазерные дальномеры.
• Лазерные гироскопы.
• Системы навигации и др.

Кремниевые Si PIN фотодиоды

Кремниевые PIN-фотодиоды представляют собой идеальный выбор для обнаружения сигналов в коротковолновом диапазоне. Их основное преимущество заключается в наличии широкой i-области между p- и n-слоями, что значительно расширяет зону поглощения света и увеличивает чувствительность устройства к фотонам. Это позволяет PIN-фотодиодам более эффективно преобразовывать световые сигналы. Кроме того, их высокая скорость реакции делает их особенно подходящими для использования в высокоскоростных приложениях, таких как оптоволоконная связь.

Основные характеристики:

• Диапазон длин волн 400 – 1100 нм.
• Большой размер активной области.
• Низкий темновой ток.
• Быстрый отклик (от 2 нс).
• Высокая чувствительность.
• Доступны различные типы корпусов (TO-46, -5, -8; C-II; 5501; FC-SA; ADP).
• SM или PM волокно.

Кремниевые лавинные фотодиоды (APD) – это оптимальное решение для обнаружения слабых оптических сигналов, которые нуждаются в высокой чувствительности. Их ключевая особенность заключается в способности усиливать сигнал за счет лавинного умножения носителей заряда, что значительно увеличивает чувствительность устройства, даже при низком уровне освещенности. Их высокая чувствительность и скорость реакции делают их незаменимыми в тех приложениях, которые требуют точных измерений и анализа в условиях низкой освещенности.

Основные характеристики:

• Диапазон длин волн 400 – 1100 нм.
• Активная область от 800 мкм.
• Низкий темновой ток.
• Время отклика от 1 нс.
• Высокая чувствительность.
• Корпус TO-5 или TO-8.

InGaAs PIN фотодиоды

InGaAs PIN-фотодиоды играют важную роль в различных оптических системах, функционирующих в ближнем и среднем инфракрасном диапазонах.

Основные характеристики:

• Материал InGaAs.
• Диапазон длин волн 800 - 3600 нм.
• Активная область от 60 мкм до 10 мм.
• Высокая чувствительность и низкий уровень шума
• Различные типы волокна, включая SM и PM.
• Корпус TO-5, -8, -20, -45 или 14-pin, 8-pin, mini 8-pin, коаксиальный.

InGaAs APD лавинные фотодетекторы

InGaAs лавинные фотодетекторы представляют собой высокочувствительные устройства, разработанные для работы в ближнем инфракрасном диапазоне. Их принцип работы основан на эффекте лавинного умножения электронов, что делает такие фотодетекторы особенно эффективными для усиления слабых оптических сигналов.

Основные характеристики:

• Диапазон длин волн 900 - 1700 нм.
• Активная область от 50 до 500 мкм.
• Высокая чувствительность.
• Время отклика от 0,6 нс.
• Корпус TO-46 или коаксиальный.
• SM/PM волокно.

Квадрантные фотодиоды

Квадрантные фотодиоды представляют собой специализированные фотодетекторы, разделенные на четыре оптически активные зоны, или квадранта. Каждая из этих зон функционирует как отдельный фотодиод, что позволяет не только регистрировать интенсивность света, но и определять его положение в пространстве. Положение светового пятна на поверхности фотодиода можно определить на основе разницы сигналов, получаемых от различных квадрантов. Суммируя и вычитая сигналы с каждой зоны, можно получить точные данные о смещении пучка или местоположении светового пятна.

Основные характеристики:

Германиевые Ge и гибридные фотодиоды

Германиевые (Ge) фотодиоды предназначены для детектирования инфракрасного излучения в диапазоне длин волн от 800 до 1800 нм. Как и фотодетекторы на основе InGaAs, Ge фотодиоды оптимизированы для работы в ближнем инфракрасном диапазоне. Однако они обладают рядом преимуществ, таких как улучшенная линейность и высокая эффективность обнаружения, особенно при использовании на больших активных площадях.

Основные характеристики:

• Для работы с импульсным и непрерывным излучением.
• Диапазон длин волн 800 - 1800 нм.
• Большой размер активной области: 5х5 мм или 10х10 мм.
• Низкие PDL и высокая линейность.
• Корпус TO-8 / TO-9 или керамический.

Балансные и дифференциальные фотодетекторы

Балансные фотодетекторы представляют собой устройства, состоящие из двух фотодиодов, которые настроены на прием двух различных оптических сигналов. Эти сигналы затем вычитаются при помощи операционного усилителя, что позволяет устранить общие флуктуации интенсивности света, такие как фоновые шумы или нестабильность источника. Основная задача балансного детектора заключается в том, чтобы сохранить полезный сигнал, минимизируя влияние нежелательных шумов.

Основные характеристики:

• Диапазон длин волн от 800 до 1700 нм.
• Полоса пропускания от 100 МГц до 2 ГГц.
• Чувствительность от 0,95 А/Вт.
• Входная оптическая мощность до 390 мкВт.
• Балансная схема с двумя аналоговыми PIN детекторами.
• Двойной оптический ввод и радиочастотный вывод.
• Компактная конструкция и легкая интеграция в системы.

Компания «Специальные Системы. Фотоника» предлагает широкий выбор дискретных фотодиодов от производителя LD-PD с различными конструкциями и материалами детекторов, размерами активной области, в ТО-корпусах и с волоконным вводом.

Наши технические специалисты компании готовы предоставить любую дополнительную информацию и подобрать решение для ваших задач. Чтобы получить консультацию или оформить заказ, пожалуйста, свяжитесь с нами.

Возврат к списку