ClearCheck Pro – новые возможности при визуальном контроле подложек микросхем
15.07.2025
В нашем каталоге появилась система прецизионного контроля топологии микросхем ClearCheck Pro, которая решает широкий спектр задач: от контроля дефектов и измерения толщины слоев до составления отчетов измерений и глубокого анализа данных. В основе работы системы лежат запатентованные алгоритмы, которые адаптированы под требования полупроводниковой промышленности и задач фотолитографии. Вертикальная скорость сканирования подложки ClearCheck Pro в 5 раз превышает скорость сканирования аналогичных устройств.
Центральным элементом станции ClearCheck Pro является прецизионная система трехуровневого позиционирования, обеспечивающая точное перемещение ИС относительно объектива, обеспечивая автоматизированный контроль ее положения.
Функционал станции:
|
Единоразовое измерение |
Программирование → Загрузка образца → Автоматическое измерение → Отчет |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Процесс |
Подготовительный этап |
Постобработка |
||||||||
Оценка качества |
ABF Шероховатость |
Ширина/расстояние между проводниками |
Размеры переходных отверстий |
Шероховатость медных поверхностей |
Глубина/диаметр углубления |
Ширина/высота контактов |
Толщина ABF/Cu |
Толщина SR/SRO, Шероховатость, Диаметр, Плоскостность |
Ширина/Промежуток контактной площадки |
Размер открытого окна в резисте |
Образец |
![]()
|
![]()
|
![]()
|
![]()
|
![]()
|
![]()
|
![]()
|
![]()
|
![]()
|
![]()
|
Повторяемость (1 σ) |
<4 нм |
<0,27 мкм |
<0,4 мкм |
<10 нм |
<0,33 мкм |
<0,33 мкм |
0,3 нм |
<0,53 мкм |
<0,27 мкм |
<0,53 мкм |
ClearCheck Pro обеспечивает:
- Прецизионное измерение параметров поверхности: выявляет дефекты, царапины, загрязнения и другие нарушения с высокой степенью детализации.
- Полный анализ поверхности: собирает данные о шероховатости, текстуре, толщине и других ключевых характеристиках индустрии полупроводников.
- Удобство использования: интуитивно понятное программное обеспечение и гибкие настройки позволяют быстро получить нужные результаты.
- Большой спектр применений: подходит для анализа различных материалов, от металлов и полупроводников до полимеров и керамики.
Доступные объективы:
Увеличение |
Поле зрения (мкм) |
Рабочее расстояние (мм) |
Размер пикселя (мкм) |
---|---|---|---|
5x |
3700×2300 |
9,3 |
1,9 |
10x |
1800×1200 |
7,4 |
0,96 |
20x |
910×580 |
4,7 |
0,48 |
50x |
370×230 |
3,4 |
0,19 |
100x |
180×120 |
2 |
0,035 |
Основные параметры:
- Размер установки 1458×1731×1809 мм.
- Высокие рабочие ISO, сверхвысокая частота дискретизации КМОП.
- Доступны функции автоматической фокусировки и переключения объективов.
- Объектами тестирования могут выступать ширина/расстояние между линиями, диаметр площадки, диаметр/глубина переходного отверстия, диаметр/глубина SRO, углубление, шероховатость (поверхность Cu/ABF).
- Высокая скорость вертикального сканирования до 400 мкм/с.
- Отношение точности к допуску составляет менее 10%.
- Необходимые условия окружающей среды: 23 ± 2 °C, относительная влажность менее 60 %.
Более подробную информацию об устройстве Вы можете узнать по ссылке.
Специалисты компании «Специальные Системы. Фотоника» будут рады проконсультировать вас по интересующим вопросам и подобрать оптимальное решение под ваши задачи. Для оформления заказа или получения консультации, пожалуйста, обратитесь к нашим специалистам.