TN1-W1-0.25-B03-WE-tap - Tap фотодетектор

  • Диапазон длин волн: 1260 - 1620 нм.
  • Активная площадь: 70 мкм.
  • Темновой ток: ≤1,0 нА.
  • Чувствительность: 0,011 А/Вт.
  • Встроенный Tap делитель.
Производитель:  DK PHOTONICS

InGaAs фотодиод с низким уровнем темного тока представляет собой высокочувствительное устройство для обнаружения оптического сигнала.

Особенности:

  • Низкий уровень темного тока.
  • Компактный корпус.
  • Низкие вносимые потери.
  • Применение в различных областях.

Параметр Значение Ед. измерения
Активная площадь
70±2  мкм
Рабочая длина волны
1260 - 1620 нм
Соотношение tap
1:99
 
Чувствительность
0,008 (мин.)
0,011 (макс.)
А/Вт
Вносимые потери при отражении
0,4 дБ
Темновой ток ≤1,0
нА
Емкость
0,4 (тип.)
0,6 (макс.)
пФ
Возвратные потери
≥45
дБ
PDL
≤0,1
дБ
Термическая стабильность
≤0,005
дБ/℃
Диапазон входной мощности
200 (макс.)
мВт
Размеры φ5,6×20
мм
Тип волокна SMF-28e, оголенное волокно
 
ESD
300 В

  • Оптоволоконные датчики.
  • Оптические контрольно-измерительные приборы.
  • Детектирование мощности.

Соотношение tap, тип волокна, тип покрытия, длина волокна, тип коннектора - другие значения доступны по запросу.
Модель Описание
TN1-W1-0.25-B03-WE Tap InGaAs фотодетектор. 1260-1620 нм, 70 мкм, 1:99, SMF-28e, пустое волокно, ≥0.8м, FC/APC.

Мой заказ