ГлавнаяКаталогОптические приемники. Фотодиоды и детекторыФотоприемные модули (Si / InGaAs)Модули PIN фотодетекторов с усилителем (320 — 2600 нм)PDA60A2 - модуль PIN фотодетектора с усилителем
PDA60A2 - модуль PIN фотодетектора с усилителем
PDA60A2 - серия PIN фотодетекторов с усилителем с пространственным вводом (free-space).
- Тип детектора: Si.
- Диапазон длин волн: 320 - 1100 нм.
- Полоса пропускания: 10 МГц.
- Коэффициент усиления: 103 В/А.
Модули PIN фотодетекторов серии PDA60A2 созданы на основе кремниевого PIN-фотодиода с большой площадью активной области и усилителя. Устройства разработаны специально для пространственного ввода излучения. Фотодетекторы отлично подходят для различных тестовых и измерительных приложений, таких как быстрое обнаружение оптических сигналов и задачи полупроводниковой промышленности.
Особенности:- Высокая стабильность и надежность в различных температурных условиях.
- Низкий уровень шума, высокий коэффициент усиления.
- Пространственный ввод излучения.
- Цельнометаллический корпус с высокой эффективностью экранирования.
- Резьбовые отверстия M6 для установки и интеграции.
Параметр | Значение | Ед. измерения |
---|---|---|
Тип детектора |
Si |
- |
Диапазон длин волн |
320 - 1100 | нм |
Оптический ввод | Free-space (FC опционально) | - |
Размеры активной области |
6x6 |
мм |
Чувствительность @960 нм | 0,5 | А/Вт |
Полоса пропускания |
DC - 10 |
МГц |
Время нарастания |
35 | нс |
Максимальный коэффициент усиления |
2×103 @HiZ |
В/А |
1×103 @50Ω |
||
Оптическая мощность насыщения @515 нм | 8 | мВт |
Снижение напряжения на выходе | ±2 | мВ |
Максимальная выходная амплитуда | 4 @HiZ | В |
2 @50Ω |
||
Напряжение питания (DC) | 9 - 12 | В |
Потребляемый ток | <200 | мА |
Выходной разъем | SMA | - |
Выходное сопротивление |
50 | Ом |
Тип соединения |
DC | - |
Рабочая температура |
-20 - +65 |
℃ |
Температура хранения | -40 - +85 |
℃ |
Габариты |
60x50x32 | мм |
- Обнаружение слабых сигналов.
- Обнаружение импульсного света.
- Выделение радиочастотных и импульсных сигналов лазерных источников.
- Определение частоты биений гетеродинного лазера.