CGX - зондовые станции
- Широкий температурный диапазон: 10K-450K.
- Глубокий вакуум: до 5×10⁻⁴ Па.
- Воздушная демпфирующая система.
- Полуавтоматическое управление с ПО для калибровки, картирования и анализа.
- Высокоскоростное позиционирование 40 мм/с с точностью ±1 мкм.
Полуавтоматическая вакуумная зондовая станция CGX-серии представляет собой решение для электрических измерений в экстремальных условиях. Оборудование обеспечивает работу в широком температурном диапазоне от 10K до 450K с использованием криогенных хладагентов (жидкий гелий или азот) в сочетании с высоким вакуумом до 5×10⁻⁴ Па. Конструкция станции включает пятиосевую систему позиционирования с точностью ±1 мкм и скоростью перемещения до 40 мм/с, что позволяет проводить тестирование полупроводниковых пластин диаметром до 8 дюймов.
Оптическая система станции оснащена моторизованным микроскопом с 12:1 зумом и разрешением 3,05 мкм. Это обеспечивает точное позиционирование зондов на субмикронных структурах. Уникальная воздушная демпфирующая система с двойной изоляцией эффективно подавляет внешние вибрации, обеспечивая стабильность измерений при увеличениях до 2000X. Автоматизированные подсистемы включают адаптивную калибровку платформы, автоматическое выравнивание ВЧ-зондов и функцию их очистки, что значительно сокращает время подготовки к измерениям.
Программное обеспечение станции поддерживает полный цикл тестирования – от автоматического картирования пластины и распознавания кристаллов до статистического анализа данных с сортировкой по BIN-параметрам. Интегрированная система управления позволяет реализовывать как единичные измерения, так и непрерывные тестовые последовательности, с возможностью удаленного доступа к данным и независимого обновления программных модулей.
Станция CGX-серии оптимальна для научно-исследовательских и промышленных применений, включая характеризацию MEMS-устройств, тестирование силовых полупроводниковых приборов, измерение ВАХ/СВХ характеристик и ВЧ-анализ. Сочетание высокой производительности, точности и автоматизации делает её универсальным решением для современных лабораторий анализа полупроводниковых материалов и устройств.
| Параметр | Значение | Ед. измерения |
|---|---|---|
|
Размер рабочей платформы
|
8 | " |
|
Плоскостность платформ
|
20 | мкм |
|
Точность позиционирования манипулятора
|
2 | мкм |
|
Ход манипулятора по оси X
|
10 | мм |
|
Ход манипулятора по оси Y
|
10 | мм |
|
Ход манипулятора по оси Z
|
10 | мм |
|
Ход платформы по оси X
|
200 | мм |
|
Ход платформы по оси Y
|
200 | мм |
|
Ход платформы по оси Z
|
20 | мм |
|
Ход платформы по оси θ
|
± 5 | ° |
|
Точность позиционирования платформы
|
± 1 | мкм |
|
Температурный диапазон
|
77 - 450 (жидкий азот), 10 - 450 (жидкий гелий) | К |
|
Разрешение температурного контроллера
|
0,001 | °C |
|
Погрешность датчика
|
0,5 | % |
|
Скорость натекания
|
1,3 x 10-9 | Па·м3/с |
|
Скорость откачки турбомолекулярного насоса
|
290 | л/с |
|
Предельное давление турбомолекулярного насоса
|
< 5 x 10-10 | мбар |
|
Предельное давление системы
|
< 5 x 10-4 | Па |
- Характеризация силовых полупроводниковых приборов.
- ВЧ-тестирование и измерения малых токов.
- Испытания MEMS-устройств и полупроводниковых пластин.
- Функциональный контроль сложных компонентов.
