M - зондовые станции
- Перемещение образца до 200x200 мм.
- Механическая точность перемещения платформы 10 мкм.
- Угловая юстировка образца с точностью 0,01°.
- Виброизоляция.
- Поддержка коаксиальных и триаксиальных держателей.
- Опция HD-видеомодуля и поворотный микроскоп.
М – серия ручных зондовых станций, которые представляют собой оборудование, сконфигурированное для применения в учебном процессе и исследовательских лабораториях. Станции предназначены для проведения электрических измерений характеристик широкого спектра объектов: от полупроводниковых пластин и кристаллов (чипов) до оптоэлектронных компонентов (LD, LED, PD), печатных плат (PCB) и корпусных изделий. Оборудование эффективно решает задачи измерения Вольт-Амперных характеристик (I-V) и Емкостно-Вольтовых характеристик (C-V) на структурах с топологией от 50 микрон.
Конструктивной основой станции является запатентованная виброизолирующая основа POMater™, обеспечивающая демпфирование внешних низкочастотных вибраций и тем самым повышающая стабильность и повторяемость измерений. Ключевым элементом является держатель пластин с двумя способами вакуумной фиксации образца (кольцевой и перфорированный) и тремя независимо управляемыми вакуумными каналами. Держатель электрически изолирован от корпуса и имеет разъем типа «banana jack» для использования в качестве заднего электрода. Высокая точность позиционирования образца достигается за счет использования следующих компонентов: шарико-винтовых пар THK, линейных направляющих и безлюфтового механизма перемещения по осям X и Y с ходом до 200x200 мм (в зависимости от модели M4, M6, M8). Дополнительно держатель пластин обладает функцией грубого (±45°) и точного (±8° с точностью 0,01°) углового поворота для юстировки образца относительно зондов.
Система визуализации включает стереоскопический микроскоп с переменным увеличением от 16x до 100x и возможностью вращения вокруг стойки на 360° для быстрого доступа к любой зоне образца. Станция поддерживает интеграцию с цифровыми CCD-камерами высокого разрешения (до 8 Мп) с интерфейсом HDMI для захвата и записи изображений в формате BMP. Для проведения измерений станция оборудована модульной платформой, позволяющей устанавливать до шести-восьми микроманипуляторов с магнитным или вакуумным креплением. Микроманипуляторы обеспечивают точное трехкоординатное позиционирование (XYZ, по 12 мм на каждую ось) зондовых игл с различной метрологической точностью (10, 0,7 или 0,1 мкм) и поддерживают установку широкого спектра держателей, включая коаксиальные и триаксиальные модели для низкоуровневых измерений.
Параметр | Значение | Ед. измерения | ||
---|---|---|---|---|
Модель
|
M4 | M6 | M8 |
|
Габариты (Д×Ш×В)
|
650×490×620 | 766×500×651 | мм | |
Вес
|
~45 | ~52 | ~90 | кг |
Рабочее напряжение
|
220V, 50-60 Гц |
|
||
Размер столешницы
|
4 | 6 | 8 | дюйм |
Метод фиксации образца
|
Кольцевая вакуумная адсорбция (может быть изменена на пористую) |
|
||
Материал стола
|
Нержавеющая сталь 316 (опционально: никелевое/золотое покрытие) |
|
||
Ход по осям X-Y
|
100×100 | 150×150 | 200×200 | мм |
Точность перемещения
|
10 | мкм | ||
Угол поворота
|
±45° / ±8° с точностью 0,01° | ° | ||
Способ управления
|
Ручной |
|
Параметры платформы микроманипуляторов и оптики
Параметр | Значение | Ед. изм. |
---|---|---|
Размер платформы (Д×Ш)
|
540×310 | мм |
Расстояние от стола до платформы
|
8 | мм |
Количество микроманипуляторов
|
До 6 (конфигурации: DC×6 или RF×4+DC×2) | шт |
Крепление микроманипуляторов
|
Магнитное или вакуумное |
|
Увеличение микроскопа
|
16-100 | X |
Разрешение CCD камеры
|
Опционально: 2 / 8 | Мп |
Ход фокусировки микроскопа (Z)
|
50,8 | мм |
Поворот микроскопа
|
360 | ° |
Характеристики микроманипуляторов и измерительных интерфейсов
Параметр | Значение | Ед. изм. |
---|---|---|
Ход по осям X-Y-Z
|
12×12×12 | мм |
Механическая точность
|
10 / 2 / 0,7 | мкм |
Типы интерфейсов
|
"Banana head" / "Alligator clip" / Коаксиальный / Триаксиальный |
|
- Исследование и тестирование полупроводниковых приборов на долговременную стабильность и отказоустойчивость.
- Характеризация ВАХ/СВХ (IV/CV).
- Кремниевая фотоника.
- Проведение высокоточных измерений малых токов.
- Исследование и тестирование полупроводниковых приборов на долговременную стабильность и отказоустойчивость.
- Определение удельного сопротивления материалов и полупроводниковых пластин.
- Проведение экспериментов и отладка технологических процессов в лабораторных условиях.