M - зондовые станции

М – серия зондовых станций, предназначенных для электрических измерений полупроводниковых и оптоэлектронных компонентов в условиях научно-исследовательских лабораторий и образовательных учреждений.
  • Перемещение образца до 200x200 мм.
  • Механическая точность перемещения платформы 10 мкм.
  • Угловая юстировка образца с точностью 0,01°.
  • Виброизоляция.
  • Поддержка коаксиальных и триаксиальных держателей.
  • Опция HD-видеомодуля и поворотный микроскоп.

М – серия ручных зондовых станций, которые представляют собой оборудование, сконфигурированное для применения в учебном процессе и исследовательских лабораториях. Станции предназначены для проведения электрических измерений характеристик широкого спектра объектов: от полупроводниковых пластин и кристаллов (чипов) до оптоэлектронных компонентов (LD, LED, PD), печатных плат (PCB) и корпусных изделий. Оборудование эффективно решает задачи измерения Вольт-Амперных характеристик (I-V) и Емкостно-Вольтовых характеристик (C-V) на структурах с топологией от 50 микрон.

Конструктивной основой станции является запатентованная виброизолирующая основа POMater™, обеспечивающая демпфирование внешних низкочастотных вибраций и тем самым повышающая стабильность и повторяемость измерений. Ключевым элементом является держатель пластин с двумя способами вакуумной фиксации образца (кольцевой и перфорированный) и тремя независимо управляемыми вакуумными каналами. Держатель электрически изолирован от корпуса и имеет разъем типа «banana jack» для использования в качестве заднего электрода. Высокая точность позиционирования образца достигается за счет использования следующих компонентов: шарико-винтовых пар THK, линейных направляющих и безлюфтового механизма перемещения по осям X и Y с ходом до 200x200 мм (в зависимости от модели M4, M6, M8). Дополнительно держатель пластин обладает функцией грубого (±45°) и точного (±8° с точностью 0,01°) углового поворота для юстировки образца относительно зондов.

Система визуализации включает стереоскопический микроскоп с переменным увеличением от 16x до 100x и возможностью вращения вокруг стойки на 360° для быстрого доступа к любой зоне образца. Станция поддерживает интеграцию с цифровыми CCD-камерами высокого разрешения (до 8 Мп) с интерфейсом HDMI для захвата и записи изображений в формате BMP. Для проведения измерений станция оборудована модульной платформой, позволяющей устанавливать до шести-восьми микроманипуляторов с магнитным или вакуумным креплением. Микроманипуляторы обеспечивают точное трехкоординатное позиционирование (XYZ, по 12 мм на каждую ось) зондовых игл с различной метрологической точностью (10, 0,7 или 0,1 мкм) и поддерживают установку широкого спектра держателей, включая коаксиальные и триаксиальные модели для низкоуровневых измерений.

Общие характеристики и параметры рабочей платформы

Параметр Значение Ед. измерения
Модель
M4 M6 M8
Габариты (Д×Ш×В)
650×490×620 766×500×651 мм
Вес
~45 ~52 ~90 кг
Рабочее напряжение
220V, 50-60 Гц
Размер столешницы
4 6 8 дюйм
Метод фиксации образца
Кольцевая вакуумная адсорбция (может быть изменена на пористую)
Материал стола
Нержавеющая сталь 316 (опционально: никелевое/золотое покрытие)
Ход по осям X-Y
100×100 150×150 200×200 мм
Точность перемещения
10 мкм
Угол поворота 
±45° / ±8° с точностью 0,01° °
Способ управления
Ручной

Параметры платформы микроманипуляторов и оптики

Параметр Значение Ед. изм.
Размер платформы (Д×Ш)
540×310 мм
Расстояние от стола до платформы
8 мм
Количество микроманипуляторов
До 6 (конфигурации: DC×6 или RF×4+DC×2) шт
Крепление микроманипуляторов
Магнитное или вакуумное
Увеличение микроскопа
16-100 X
Разрешение CCD камеры
Опционально: 2 / 8 Мп
Ход фокусировки микроскопа (Z)
50,8 мм
Поворот микроскопа
360 °

Характеристики микроманипуляторов и измерительных интерфейсов

Параметр Значение Ед. изм.
Ход по осям X-Y-Z
12×12×12 мм
Механическая точность
10 / 2 / 0,7 мкм
Типы интерфейсов
"Banana head" / "Alligator clip" / Коаксиальный / Триаксиальный

  • Исследование и тестирование полупроводниковых приборов на долговременную стабильность и отказоустойчивость.
  • Характеризация ВАХ/СВХ (IV/CV).
  • Кремниевая фотоника.
  • Проведение высокоточных измерений малых токов.
  • Исследование и тестирование полупроводниковых приборов на долговременную стабильность и отказоустойчивость.
  • Определение удельного сопротивления материалов и полупроводниковых пластин.
  • Проведение экспериментов и отладка технологических процессов в лабораторных условиях.

Модель Описание
M4 Зондовая станция. Габариты 650х490х620 мм. Размер рабочей поверхности 4 дюйма. Ход по осям X-Y 100х100 мм.
M6 Зондовая станция. Габариты 650х490х620 мм. Размер рабочей поверхности 6 дюймов. Ход по осям X-Y 150х150 мм.
M8 Зондовая станция. Габариты 766х500х651 мм. Размер рабочей поверхности 8 дюймов. Ход по осям X-Y 200х200 мм.
Назад к разделу

Мой заказ