X - зондовые станции
- Широкий температурный диапазон: от -60°C до +300°C.
- Высокая скорость позиционирования по осям XY: ≥70 мм/с.
- О-образная платформа: размещение до 12 микроманипуляторов.
- Низкий уровень шума: ток утечки 100 фА/В (с экранированием).
- Система виброзащиты.
Полуавтоматическая зондовая станция X-серии представляет собой платформу для комплексного тестирования полупроводниковых устройств. Оборудование обеспечивает измерения электрических, оптических и СВЧ-параметров в широком температурном диапазоне от -60°C до +300°C с точностью стабилизации ±0,1°C. Уникальная O-образная платформа позволяет одновременно размещать до 12 микроманипуляторов, что на 50% превышает стандартные отраслевые показатели и значительно повышает эффективность измерений.
Конструкция станции включает инновационную систему позиционирования рабочей платформы с скоростью перемещения ≥70 мм/с и повторяемостью ±1 мкм. Оптическая система с тройным увеличением (120x-2000x) и двойными камерами обеспечивает точное наведение зондов на субмикронные структуры. Уникальная система выдвижения платформы с ходом 370 мм значительно ускоряет процесс загрузки образцов.
Система виброзащиты на воздушных демпферах с двойной изоляцией гарантирует стабильность работы при увеличениях до 2000x. Экранированная измерительная камера с покрытием из оксида никеля обеспечивает эффективное подавление электромагнитных помех (>30 дБ) и защиту от внешнего освещения (≥130 дБ), создавая оптимальные условия для низкошумовых измерений с током утечки до 100 фА.
Программное обеспечение станции поддерживает полный цикл тестирования: от автоматической калибровки и картирования пластин до RF-измерений и статистического анализа данных. Гибкая архитектура позволяет независимо обновлять операционную систему, прикладные модули и измерительные компоненты. Станция совместима с различными типами соединителей (коаксиальные, триаксиальные, SMA, SHV) и поддерживает работу с материалами SiC/GaN.
Параметр | Значение | Ед. измерения | ||
---|---|---|---|---|
Модель | X6 | X8 | X12 |
|
Размер рабочей платформы | 6 | 8 | 12 | " |
Рабочий ход по XY
|
350x365 | мм | ||
Разрешение по XY
|
0,1 | мкм | ||
Повторяемость по XY
|
≤ ± 1 | мкм | ||
Скорость по XY
|
≥ 70 | мм/с | ||
Рабочий ход по Z
|
20 | мм | ||
Разрешение по Z
|
0,1 | мкм | ||
Повторяемость по Z
|
≤ ± 1 | мкм | ||
Скорость по Z
|
≤ 20 | мм/с | ||
Температура
|
||||
Температурный диапазон
|
-60...+300 | °C | ||
Температурная стабильность
|
±0,1 | °C | ||
Разрешение системы термостатирования
|
0,01 | °C | ||
Ток утечки
|
1 пА/В @25°C, 100 фА/В @25°C (с экраном) |
|
||
Тип коннектора
|
Banana/Коаксиальный/Триаксиальный/SMA/SHV и др. |
|
||
Оптическая система
|
15:1 трехскоростной зум-микроскоп, одновременное отображение изображений с низким, средним и высоким увеличением. |
- Тестирование полупроводниковых пластин.
- ВЧ-характеристика и шумовые измерения.
- Оптоэлектронные испытания.
- Температурно-зависимые измерения.
- Автоматизированное тестирование I-V/C-V характеристик.