ГлавнаяКаталогОптические приемники. Фотодиоды и детекторыДетекторы ИК-диапазонаInAsSb-2/5um-1X1-AG8-ST - высокочувствительные InAsSb фотодетекторы с усилителем

InAsSb-2/5um-1X1-AG8-ST - высокочувствительные InAsSb фотодетекторы с усилителем

InAsSb-2/5um-1X1-AG8-ST - серия высокочувствительных InAsSb фотодетекторов с усилителем.
  • Диапазон длин волн 2 - 5 мкм. 
  • Полоса пропускания 3 кГц - 13 МГц.
  • Размеры активной области 1x1 мм.
  • 8 уровней регулировки усиления.
  • Материал InAsSb.
Производитель:  LD-PD

Модули фотодетекторов серии InAsSb-2/5um-1X1-AG8-ST представляют собой высокочувствительные InAsSb фотоприемники, обладающие чувствительностью инфракрасном диапазоне от 2 до 5,3 мкм. Устройства имеют 8 уровней регулировки усиления, обеспечивают точное количественное фотоэлектрическое преобразование, а также обладают широким динамическим диапазоном. Благодаря этим характеристикам, высокочувствительные фотодетекторы серии InAsSb-2/5um-1X1-AG8-ST идеально подходят для проведения измерений в широком ИК диапазоне.

Особенности:

  • Высокая чувствительность в средне- и длинноволновом ИК диапазоне.
  • 8 уровней регулировки усиления.
  • Широкий динамический диапазон.
  • Компактная конструкция.

Параметр Значение Ед. измерения
Диапазон длин волн
2 - 5
мкм
Пиковая длина волны
4,5
мкм
Время отклика
≤120
нс
D*
2,0x1010
см⋅Гц1/2/Вт
Амплитуда сигнала
Hi-Z: 0 - 10
50Ω: 0 - 5
В
Метод регулировки усиления
Поворотный механизм: 0 - 70 дБ, шаг 10 дБ, всего 8 уровней.
Пропускная способность обратно пропорциональна усилению.
-
NEP
2,0x10-10
Вт/√Гц
Размеры фоточувствительной области
1x1 мм
Глубина фоточувствительной поверхности
3,3 мм
Вес детектора
0,1 кг
Рабочая температура 
+10 - +40 °C
Температура хранения
-20 - +70 °C
Габариты
70,9х52,5х22,5 мм
Фотоэлектрический отклик
≥0,5 А/Вт

Параметры регулировки усиления

Уровень Коэффициент усиления (Hi-Z)  Коэффициент усиления (50Ω)  Полоса пропускания Уровень шума (RMS)  Смещение сигнала
0 дБ
1,51x103 В/А
0,75x103 В/А
13 МГц
≤250 мкВ
±8 мВ (тип.), ±12 мВ (макс.)
10 дБ
4,75x103 В/А
2,38x103 В/А
1,7 МГц ≤250 мкВ
±8 мВ (тип.), ±12 мВ (макс.)
20 дБ
1,5x104 В/А
0,75x104 В/А
1,1 МГц ≤250 мкВ
±8 мВ (тип.), ±12 мВ (макс.)
30 дБ
4,75x104 В/А
2,38x104 В/А
300 кГц ≤250 мкВ ±8 мВ (тип.), ±12 мВ (макс.)
40 дБ
1,51x105 В/А
0,75x105 В/А 90 кГц ≤250 мкВ
±8 мВ (тип.), ±12 мВ (макс.)
50 дБ
4,75x105 В/А
2,38x105 В/А
28 кГц ≤250 мкВ
±8 мВ (тип.), ±12 мВ (макс.)
60 дБ
1,5x106 В/А
0,75x106 В/А
9 кГц ≤300 мкВ ±8 мВ (тип.), ±12 мВ (макс.)
70 дБ
4,75x106 В/А 2,38x108 В/А
3 кГц ≤400 мкВ
±8 мВ (тип.), ±12 мВ (макс.)

  • Измерения в средне- и длинноволновом ИК диапазоне.

Модель Описание
InAsSb-2/5um-1X1-AG8-ST Высокочувствительный InAsSb фотодетектор с усилителем. Длина волны 2 - 5 мкм. Размеры активной области 1x1 мм. Время отклика ≤120 нс.

Мой заказ