Диодные лазеры УФ диапазона, 200 - 400 нм

Диодные лазеры с узкой спектральной линией

SSP-DNL-375-E - диодный лазер с узкой спектральной линией Длина волны излучения 375 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 15 мВт. Ширина спектральной линии ≤ 0,03 нм.

Заказать

SSP-DNL-400-E - диодный лазер с узкой спектральной линией Длина волны излучения 400 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 50 мВт. Ширина спектральной линии ≤ 0,03 нм.

Заказать

Диодные лазеры с низким уровнем шумов

SSP-DLN-375 - высокостабильные диодные лазеры с низким уровнем шумов Длина волны излучения 375 нм. Выходная мощность до 400 мВт. Низкий уровень шумов.

Заказать

SSP-DLN-375L - высокостабильные диодные лазеры c низким уровнем шумов Длина волны излучения 375 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 50 мВт.

Заказать

SSP-DLN-380 - высокостабильные диодные лазеры с низким уровнем шумов Длина волны излучения 380 нм. Выходная мощность до 150 мВт. Низкий уровень шумов.

Заказать

SSP-DLN-395L - высокостабильные диодные лазеры c низким уровнем шумов Длина волны излучения 395 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 100 мВт.

Заказать

SSP-DLN-397 - высокостабильные диодные лазеры c низким уровнем шумов Длина волны излучения 397 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 100 мВт.

Заказать

SSP-DLN-400 - высокостабильные диодные лазеры c низким уровнем шумов Длина волны излучения 400 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 1000 мВт.

Заказать

Диодные лазеры на объемных брегговских решетках (VBG)

PLM-375,0-MM - диодный лазер на объемных брэгговских решетках (VBG) Длина волны 375 нм. Выходная мощность 100 - 200 мВт. Ширина спектральной линии 2 нм. Стабильность длины волны +/- 1 нм.

Заказать

PLM-375,0-SM - диодный лазер на объемных брэгговских решетках (VBG) Длина волны 375 нм. Выходная мощность 25 - 50 мВт. Ширина спектральной линии 1 - 2 нм. Стабильность длины волны +/- 1 нм.

Заказать

Высокостабильные диодные (полупроводниковые) лазеры

SSP-DHS-375-XS - диодные лазеры в компактном корпусе Длина волны излучения 375 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 50 мВт.

Заказать

SSP-DHS-375 - высокостабильные диодные лазеры Длина волны излучения 375 нм. Минимальная выходная мощность 50 мВт. Максимальная выходная мощность 400 мВт.

Заказать

SSP-DHS-375L - высокостабильные диодные лазеры Длина волны излучения 375 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 50 мВт.

Заказать

SSP-DHS-375-MD - высокостабильные диодные лазеры Длина волны излучения 375 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 1500 мВт.

Заказать

SSP-DHS-380 - высокостабильные диодные лазеры Длина волны излучения 380 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 150 мВт.

Заказать

SSP-DHS-380-MD - высокостабильные диодные лазеры Длина волны излучения 380 нм. Минимальная выходная мощность 400 мВт. Максимальная выходная мощность 800 мВт.

Заказать

SSP-DHS-395L - высокостабильные диодные лазеры Длина волны излучения 395 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 100 мВт.

Заказать

SSP-DHS-397 - высокостабильные диодные лазеры Длина волны излучения 397 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 100 мВт.

Заказать

SSP-DHS-400-XS - диодные лазеры в компактном корпусе Длина волны излучения 400 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 200 мВт.

Заказать

SSP-DHS-400 - высокостабильные диодные лазеры Длина волны излучения 400 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 1000 мВт.

Заказать

SSP-DHS-400-H - высокостабильные диодные лазеры Длина волны излучения 400 нм. Минимальная выходная мощность 1000 мВт. Максимальная выходная мощность 3000 мВт.

Заказать

Диодные лазеры с волоконным выводом

SSP-375-FC-LS - лазерные диодные системы с волоконным выводом Длина волны излучения 375 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 5000 мВт. Тип волокна: MM.

Заказать

SSP-375-D-FC - диодные лазеры для рамановской спектроскопии Длина волны излучения 375 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 10 мВт.

Заказать

SSP-375C-FC-W - высокомощные диодные лазеры с волоконным выводом Длина волны излучения 375 нм. Минимальная выходная мощность 2 Вт. Максимальная выходная мощность 10 Вт.

Заказать

SSP-375H-FC-W - высокомощные диодные лазеры с волоконным выводом Длина волны излучения 375 нм. Минимальная выходная мощность 10 Вт. Максимальная выходная мощность 20 Вт.

Заказать

SSP-395-FC-LS - лазерные диодные системы с волоконным выводом Длина волны излучения 395 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 500 мВт. Тип волокна: MM.

Заказать

SSP-397-FC-LS - лазерные диодные системы с волоконным выводом Длина волны излучения 397 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 500 мВт. Тип волокна: MM.

Заказать

SSP-400-FC-LS - лазерные диодные системы с волоконным выводом Длина волны излучения 400 нм. Минимальная выходная мощность 1000 мВт. Максимальная выходная мощность 3000 мВт. Тип волокна: MM.

Заказать

Диодные лазеры с длиной когерентности более 1м

SSP-DHS-375-C - диодный лазер с длиной когерентности более 1 метра Длина волны излучения 375 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 15 мВт. Длина когерентности ≥ 1 метра.

Заказать

SSP-DHS-400-C - диодный лазер с длиной когерентности более 1 метра Длина волны излучения 400 нм. Минимальная выходная мощность 1 мВт. Максимальная выходная мощность 50 мВт. Длина когерентности ≥ 1 метра.

Заказать

Ультрафиолетовое излучение коротковолнового диапазона (200–400 нм) является критически важным инструментом для передовых научных исследований и высокотехнологичного промышленного производства. В каталоге «Специальные Системы. Фотоника» представлены диодные лазеры УФ-диапазона, обеспечивающие высокую спектральную плотность мощности и превосходную стабильность параметров. В отличие от газовых лазеров, современные диодные источники отличаются компактностью, низким энергопотреблением и возможностью прямой модуляции излучения, что делает их идеальными решениями для интеграции в сложные оптические схемы.

Технические характеристики и преимущества диодных УФ лазеров

Предлагаемое оборудование разработано для решения задач, требующих высокой когерентности и точности. Производители уделяют особое внимание контролю параметров пучка и термостабилизации активного элемента, что гарантирует надежную работу в длительных экспериментах.

Широкий диапазон длин волн. Покрытие диапазона UVA (315–400 нм), UVB (280–315 нм) и UVC (200–280 нм), включая популярные длины волн 266 нм, 375 нм и 405 нм.
Высокое качество пучка. Работа в фундаментальной моде TEM00 с параметром M² < 1.1, что позволяет фокусировать излучение в пятно дифракционного предела.
Спектральная чистота. Узкая ширина спектральной линии (спектральная ширина < 1 нм для стандартных моделей и < 1 МГц для одномодовых источников), критически важная для спектроскопии высокого разрешения.
Стабильность мощности. Низкий уровень шума (RMS noise < 0.5% при работе в постоянном режиме) и отличная долговременная стабильность выходной мощности.
Управление и модуляция. Аналоговое и TTL-управление интенсивностью, поддержка прямого модулирования до высоких частот (до сотен МГц в зависимости от модели).

Области применения лазеров УФ диапазона

УФ-лазеры находят применение там, где высокая энергия фотона вызывает специфические флуоресцентные переходы или химические реакции, недоступные для видимого спектра.

Флуоресцентная микроскопия. Использование длин волн 375 нм и 405 нм для возбуждения стандартных флуорофоров. Короткая длина волны обеспечивает высокое контрастное разрешение субклеточных структур.
Спектроскопия комбинационного рассеяния (УФ-Раман). Резонансное усиление сигнала и избегание флуоресцентного фона при возбуждении в УФ-диапазоне (например, 266 нм) для анализа сложных органических молекул и наноматериалов.
Проточная цитометрия. Высокоскоростной анализ и сортировка клеток на основе измерения содержания ДНК после окрашивания. Стабильность мощности лазера напрямую влияет на точность коэффициента вариации.
Контроль полупроводников. Обнаружение дефектов и измерение критических размеров топологий микросхем. Высокое разрешение оптических систем достигается за счет короткой длины волны излучения.
Лазерная литография и лазерная прямая визуализация (LDI). Экспонирование фоторезистов с высокой разрешающей способностью. Применение УФ-лазеров позволяет создавать микро- и наноструктуры для фотоники и микроэлектроники.

Область применения	Длина волны	Критерий выбора	Обоснование применения
Флуоресцентная микроскопия (возбуждение DAPI, Hoechst)	375 нм (UVA)	Качество пучка (M² < 1.1), Стабильность направления	Пик поглощения стандартных ядерных флуорофоров (DAPI) приходится на ~358 нм, поэтому длина волны 375 нм обеспечивает эффективное возбуждение с минимальным фоновым свечением. Высокое качество пучка критически важно для достижения дифракционного предела разрешения в конфокальных системах.
Спектроскопия комбинационного рассеяния (УФ-Раман)	266 нм (DUV) или 375 нм	Спектральная ширина линии (<1 МГц), Подавление паразитного излучения	Использование УФ-диапазона позволяет сместить спектр Рамана в область, где отсутствует флуоресценция образца. Узкая ширина линии лазера необходима для эффективного режектирования рэлеевского рассеяния и регистрации низкочастотных мод колебаний.
Проточная цитометрия (FACS, анализ ДНК)	355 нм или 375 нм	Стабильность выходной мощности (RMS noise < 0.5%), Мощность	Высокая стабильность мощности излучения является ключевым фактором для точной калибровки коэффициента содержания ДНК в клетках (фазы клеточного цикла). Низкий уровень шума лазера предотвращает перекрытие популяций клеток на гистограммах и обеспечивает точность сортировки.
Контроль полупроводниковых пластин (Defect Inspection)	266 нм или 355 нм	Длина когерентности, Разрешающая способность оптики	Короткая длина волны глубокого УФ-диапазона повышает разрешающую способность для обнаружения дефектов субмикронных размеров и неоднородностей в слоистых структурах. Высокая когерентность требуется для интерферометрических методов анализа топологии поверхности.
Лазерная литография и прямая визуализация (Laser Direct Imaging)	375 нм – 405 нм	Профиль пучка (Top-hat / Gaussian), Однородность плотности мощности	Для экспонирования фоторезиста с высокой разрешающей способностью требуется строгое распределение интенсивности в пятне (профилю Топ-хат или гауссовому). Это необходимо для контроля критических размеров (CD) при формировании топологий микросхем и микрооптики.
Спектроскопия поглощения (Аналитика жидкостей и газов)	255 нм – 375 нм	Ширина линии, Дрейф длины волны	Многие органические соединения и белки имеют интенсивные полосы поглощения именно в УФ-области. Минимальный дрейф длины волны обеспечивает высокую воспроизводимость измерений оптической плотности (OD) при длительном мониторинге химических процессов.
Техническая дефектоскопия и контроля поверхности	365 нм	Высокое качество пучка (M² ≈ 1.1)	УФ-излучение возбуждает флуоресцентные пенетранты или вызывает естественное свечение материалов (лакокрасочные покрытия, масла), позволяя выявлять микротрещины и дефекты сплавов, невидимые в видимом спектре.

Оснащение лаборатории для работы с УФ-излучением

Для построения полнофункциональной оптической установки на базе УФ-лазеров необходим комплексный подход к выбору компонентов. Использование совместимых аксессуаров обеспечивает не только безопасность эксперимента, но и сохранение уникальных характеристик лазерного пучка.

При использовании данного типа оборудования Вам могут пригодиться специализированные оптические компоненты и системы защиты:

Средства индивидуальной защиты. УФ-излучение представляет серьезную опасность для зрения и кожи. Обязательно оснащение лаборатории защитными очками с соответствующим оптическим плотностью для конкретной длины волны.
Измерительное оборудование. Для калибровки и мониторинга выходных параметров в реальном времени необходимы высокоточные измерители мощности и энергии, аттестованные для работы в УФ-диапазоне.
Лабораторная инфраструктура. Виброзащищенные оптические столы и системы позиционирования критически важны для интерференционных приложений и фокусировки излучения в микрообъемы, исключая дрейф оптической схемы.

Компания «Специальные Системы. Фотоника» предлагает не просто компоненты, а инженерные решения, проверенные в ведущих НИИ и промышленных центрах России. Мы понимаем физику процессов и помогаем подобрать конфигурацию лазера, которая оптимальным образом соответствует Вашим техническим требованиям и бюджету.

Ознакомиться с техническими характеристиками представленного оборудования, скачать паспортные данные или запросить коммерческое предложение можно, обратившись к специалистам «Специальные Системы. Фотоника» любым удобным способом.