Дискретные фотодиоды в ТО-корпусах и с волоконным вводом

Кремниевые Si PIN фотодиоды (400 - 1100 нм)
В разделе представлены кремниевые (Si) PIN фотодетекторы для диапазона от 400 до 100 нм. Активная область от 200 мкм / 0,2 х 0,2 мм до 8 мм / 4 х 4 мм. Время отклика от 2 нс. Типы корпусов TO-46, TO-5A, TO-8, coaxial, plug-in. Типы волокон SM и PM.
Подробнее
Кремниевые Si APD лавинные фотодетекторы (400 - 1100 нм)
В разделе представлены Si APD фотодетекторы для диапазона от 400 до 1100 нм. Активная область от 800 мкм. Время отклика от 1,0 нс. Типы корпусов TO-5, TO-8.
Подробнее
InGaAs PIN фотодиоды (800 - 3600 нм)
В разделе представлены InGaAs PIN фотодетекторы для диапазона от 800 до 3600 нм. Активная область от 60 мкм до 10 мм. Типы корпусов TO-46, 14-pin, 8-pin, mini 8-pin, coaxial. Типы волокон SM и PM.
Подробнее
InGaAs APD лавинные фотодетекторы (900 - 1700 нм)
В разделе представлены InGaAs APD фотодетекторы для диапазона от 900 до 1700 нм. Активная область от 50 мкм. Время отклика от 0,6 нс. Типы корпусов TO-46, coaxial. Типы волокон SM и PM.
Подробнее
Квадрантные фотодиоды (InGaAs и Si)
В разделе представлены квадрантные (InGaAs и Si) фотодетекторы для диапазона от 400 до 1700 нм. Активная область от 1 мм. Чувствительность от 0,95 А/Вт. Типы корпусов TO-46, TO-5, TO-39.
Подробнее
Германиевые Ge и гибридные фотодиоды (400 - 1800 нм)
В разделе представлены германиевые (Ge) фотодетекторы для диапазона от 800 до 1800 нм. Активная область от 5х5 мм. Типы корпусов TO-8, TO-9, керамический.
Подробнее
Балансные и дифференциальные фотодетекторы
Фотодетекторы построенные по балансной схеме. Двойной оптический ввод и радиочастотный вывод. Частота оптического сигнала до 2 ГГц. Диапазон длин волн от 800 до 1700 нм. Корпус "бабочка".
Подробнее

Фотодиоды (ФД) представляют собой компактные и надежные решения для детектирования оптического излучения в различных областях, таких как волоконно-оптическая связь, оптические датчики и научные приборы. Эти устройства широко применяются благодаря их высокой стабильности, долговечности и возможности прямого интегрирования в оптоволоконные системы.

Дискретные фотодиоды представлены в двух конфигурациях:

  • В ТО-корпусе: фотодиод помещен в металлический корпус, который обеспечивает защиту от воздействия факторов окружающей среды при сохранении электрических характеристик устройства, которое в него заключено. Эти корпуса герметичны, удобны в установке и совместимы с разными устройствами и системами, что делает фотодиоды в ТО-корпусах компактными и универсальными решениями. Для фотодиодов используются корпуса TO-5, TO-8, TO-46 и другие.
  • С волоконным вводом: такие ФД предназначены для приема света непосредственно из оптического волокна. В таких конструкциях волокно, одномодовое (SM) или с сохранением поляризации (PM), соединяется с фотодиодом, обеспечивая высокоэффективное и точное детектирование световых сигналов.

Типы детекторов

  • PIN-фотодиоды: основаны на PIN-структуре, где между p- и n-слоями расположена широкая i-область (нелегированная). PIN-фотодетекторы обладают хорошей чувствительностью и высоким быстродействием, что делает их подходящими для широкого спектра применений, включая оптическую связь, волоконные датчики и системы тестирования.
  • APD (лавинные фотодиоды): APD работают на основе усиления фототока благодаря лавинному умножению носителей заряда в области pn-перехода. Эти детекторы обладают значительно повышенной чувствительностью, особенно при низкой интенсивности света, и применяются в системах с особыми требованиями к чувствительности, таких как детекторы слабого света, спектрометры и лазерные дальномеры (лидары).
  • Квадрантные фотодиоды: состоят из четырех сегментов, которые позволяют измерять распределение светового потока и определять направление его движения. Они широко применяются в датчиках положения лазерного пучка, лазерных гироскопах и в системах навигации и позиционирования для высокоточных измерений углового отклонения.
  • Балансные фотодетекторы: представляют собой систему, состоящую из двух или более фотодиодов, которая используется для сравнения двух оптических сигналов. Это позволяет эффективно подавлять шум и флуктуации источника света, что улучшает соотношение сигнал/шум и чувствительность. Такие детекторы особенно полезны в оптической когерентной томографии, допплеровских лидарах и квантовых измерениях.

Материал детектора

  • InGaAs (индий-галлий-арсенид): этот материал используется для детекторов, работающих в ближнем инфракрасном (БИК) диапазоне, от 900 до 1700 нм. InGaAs детекторы отличаются высокой чувствительностью, низким уровнем шумов и быстрым откликом, что делает их идеальными для ВОЛС, рефлектометрии, ИК спектрофотометрии, ИК зондирования и прецизионных научных измерений.
  • Si (кремний): кремниевые ФД наиболее чувствительны в видимом диапазоне спектра (400 - 1100 нм). Благодаря высокой скорости отклика и доступности, применяются в оптических датчиках, системах тестирования, спектрометрии, дальнометрии и других областях.
  • Ge (германий): германиевые ФД имеют хорошую чувствительность в ближнем инфракрасном диапазоне от 800 до 1800 нм. Подходят для измерителей мощности и волоконно-оптических датчиков, так как эффективны при детектировании на больших площадях и подходят для работы как с непрерывным, так и с импульсным излучением.

Компания «Специальные системы. Фотоника» предлагает широкий выбор дискретных фотодиодов от производителя LD-PD с различными конструкциями и материалами детекторов, размерами активной области, в ТО-корпусах и с волоконным вводом.

Наши технические специалисты компании готовы предоставить любую дополнительную информацию и подобрать решение для ваших задач. Чтобы получить консультацию или оформить заказ, пожалуйста, свяжитесь с нами.


Мой заказ