LP-GE - германиевые Ge фотодиоды

LP-GE - серия германиевых Ge фотодиодов в керамическом корпусе.
  • Диапазон длин волн от 800 до 1800 нм.
  • Размер активной области 10х10 мм.
  • Чувствительность 0,95 А/Вт.
  • Время отклика 10 мкс.
Производитель:  LD-PD

Серия германиевых Ge фотодиодов LP-GE используются для измерения оптической мощности в ближнем инфракрасном диапазоне, а также идеально подходит для измерения импульсного и непрерывного излучения. Германиевые детекторы хорошо востребованы для тех случаев, когда регистрируемый сигнал намного выше уровня шума, поскольку имеют более низкое шунтирующее сопротивление и более высокий ток утечки.

Особенности:
  • Низкое шунтирующее сопротивление.
  • Высокая линейность.
  • Тип корпуса ТО / BNC.
  • Возможность термоэлектрического охлаждения.

Параметр Значение Ед.измерения
Материал датчика Ge
Диапазон длин волн 800 — 1800 нм
Активная область 10х10 мм
Время нарастания/спада (1В) 10 мкс
Эквивалентная мощность шума (1550 нм) 4х10-12 Вт/Гц1/2
Темновой ток (0,3В) 50 мкА
Емкость 80 (1В)
135 (0В)
нФ
Шунтирующее сопротивление 2 кОм
Тип корпуса Керамический корпус

  • Измерители мощности.
  • Волоконные датчики.
  • Спектроскопия.
  • Лазерные датчики обнаружения.

Модель Описание
LP-GE-10X10 Германиевый Ge фотодиод, 800 - 1800 нм, активная область 10х10 мм, керамический корпус

Мой заказ