ГлавнаяКаталогИмпульсные лазерыНаносекундные Nd:YAG и Nd:YLF лазеры с диодной или ламповой накачкойИмпульсные твердотельные лазеры с высокой энергией, 266 - 1064 нмLR-C04D - наносекудные DPSS лазеры на 4 Дж с частотой до 100 Гц, 266-1064 нм
LR-C04D - наносекудные DPSS лазеры на 4 Дж с частотой до 100 Гц, 266-1064 нм
LR-C04D - серия наносекундных твердотельных лазеров с диодной накачкой.
- Энергия импульсов 4 Дж (1064 нм), 2 Дж (532 нм), 1,2 Дж (355 нм), 0,35 Дж (266 нм).
- Формирование пучка с равномерной интенсивностью типа top hat.
- Частота повторения импульсов до 100 Гц.
- Интерфейс RS232 для дистанционного управления.
Наносекундные твердотельные лазеры с диодной накачкой серии LR-C04D генерируют линейно поляризованное излучение с пиковой энергией до 4 Дж. Для достижения более высокой частоты повторения и большей выходной мощности в лазерах используется метод накачки на диодах с водяным охлаждением.
Равномерная интенсивность пучка (top-hat) достигается благодаря использованию зеркала с переменной отражательной способностью (VRM). К заказу доступны модели с одной длиной волны; с несколькими по запросу.
Особенности:
- Высокая частота повторения импульсов.
- Высокая стабильность энергии.
- Формирование пучка с равномерной интенсивностью типа top hat.
Распределение энергии пятна пучка в поперечном поле
Параметр |
Значение | Ед. измерения | |
---|---|---|---|
Частота повторения импульсов
|
≤100 | Гц | |
Энергия импульса
|
1064 нм | 4000 | мДж |
532 нм | 2000 | ||
355 нм | 1200 | ||
266 нм | 350 | ||
Стабильность энергии (RMS)
|
1064 нм | ≤0,7 | % |
532 нм | ≤1,2 | ||
355 нм | ≤2 | ||
266 нм | ≤3 | ||
Длительность импульса (@1064 нм)
|
|
8 - 10 | нс |
Расходимость пучка
|
≤0,5 | мрад | |
Стабильность наведения пучка
|
≤20 | мкрад | |
Временной джиттер
|
≤0,5 | нс | |
Диаметр пучка
|
15 | мм | |
Профиль пучка
|
top hat | - | |
Ближнепольный (<1 м)
|
70 | % | |
Дальнепольный (∞)
|
95 | % | |
Округлость пучка | ≥95 | % | |
Поляризация
|
Линейная | - | |
Срок службы ЛД
|
3 млрд. | импульсов | |
Рабочее напряжение
|
220 ± 5% / 50 - 60 | В перем. тока / Гц | |
Потребление мощности
|
≤3 | кВт | |
Рабочая температура
|
+15 - +35 | °C | |
Относительная влажность
|
≤80 | % |
- Лазерная ударная обработка.
- Накачка титан-сапфира.
- Лазерная абляция.
- Физика плазмы.
- Кремниевый отжиг.