ГлавнаяКаталогИмпульсные лазерыИмпульсные твердотельные лазеры (~мкДж)Зеленые импульсные лазеры c диодной накачкой
Зеленые импульсные лазеры c диодной накачкой
Компания Teem Photonics с 2005 года активно развивает серию компактных лазеров на микрочипах Nd:YAG для достижения выдающихся характеристик и надежности. Микрочиповые лазеры серий xNG и xTG на второй гармонике с диодной накачкой представляет собой очень прочную конструкцию, оптимизированную для длительного срока службы. Эти лазеры экономичны, компактны и надежны.
Контроллеры могут использоваться с любой моделью лазерной головки и заменяются в течение нескольких минут при сохранении постоянных рабочих параметров. Возможны различные опции внешнего запуска лазеров и оптимизация частот повторения с внутренним запуском.
Контроллеры могут использоваться с любой моделью лазерной головки и заменяются в течение нескольких минут при сохранении постоянных рабочих параметров. Возможны различные опции внешнего запуска лазеров и оптимизация частот повторения с внутренним запуском.
Пикосекундные лазеры c длиной волны 532 нм
ANG-10E-100 - компактный микрочиповый лазер с усилением
Длина волны: 532 нм. Средняя мощность: 0,7 Вт. Длительность импульса: 500 пс. Частота повторения: 70 кГц.
ANG-05E-100 - компактный микрочиповый лазер с усилением
Длина волны: 532 нм. Средняя мощность: 0,5 Вт. Длительность импульса: 700 пс. Частота повторения: 100 кГц.
SNG-70F - пикосекундный лазер с высокой пиковой мощностью
Длина волны: 532 нм. Пиковая мощность: 400 мВт. Длительность импульса: 500 пс. Частота повторения: 70 кГц.
SNG-70F-100 - высокопроизводительный пикосекундный лазер
Длина волны: 532 нм. Выходная мощность: 13 мВт. Длительность импульса: 550 пс. Частота повторения: 65 кГц.
SNG-100P-100 - высокопроизводительный пикосекундный лазер
Длина волны: 532 нм. Выходная мощность: 100 мВт. Длительность импульса: 700 пс. Частота повторения: 19 кГц.
SNG-40F-100 - лазер с высокой пиковой мощностью
Длина волны: 532 нм. Пиковая мощность: > 2 кВт. Длительность импульса: 750 пс. Частота повторения: > 35 кГц.
SNG-20F-100 - лазер с высокой пиковой мощностью
Длина волны: 532 нм. Пиковая мощность: > 3 кВт. Длительность импульса: 750 пс. Частота повторения: > 19 кГц.
SNG-03E-100 - лазер с высокой пиковой мощностью
Длина волны: 532 нм. Пиковая мощность: > 4 кВт. Длительность импульса: 750 пс. Частота повторения: > 5 кГц.
PNG-MO4005 - лазер с высокой пиковой мощностью
Длина волны: 532 нм. Пиковая мощность: 80 кВт. Длительность импульса: 400 пс. Частота повторения: 500 Гц.
PNG-MO2010 - лазер с высокой пиковой мощностью
Длина волны: 532 нм. Пиковая мощность: > 50 кВт. Длительность импульса: менее 400 пс. Частота повторения: 1 кГц.
MNG-03Е-100 - микрочиповый лазер
Длина волны: 532 нм. Пиковая мощность: > 4 кВт. Длительность импульса: до 750 пс. Частота повторения: > 5 кГц.
HNG-50F - лазер с усиленной выходной пиковой мощностью
Длина волны: 532 нм. Пиковая мощность: 100 кВт. Длительность импульса: 0,65 нс. Частота повторения: 45 кГц.
HNG-70F-100 - микрочиповый лазер с высокой пиковой мощностью
Длина волны: 532 нм. Пиковая мощность: >100 кВт. Длительность импульса: <0,55 нс. Частота повторения: >70 кГц.
STG-03E-1x0 - высокопроизводительный триггерный лазер на микрочипе
Длина волны: 532 нм. Пиковая мощность: >6 кВт. Длительность импульса: <0,5 нс. Частота повторения: 4 кГц.
Наносекундные лазеры с длиной волны 532 нм
SSP-NSQ-EO-532-H-II - наносекундный DPSS лазер на 532 нм для применения в лидарах
Длина волны: 532 нм. Энергия импульса: 1 мДж (@3 кГц). Длительность импульса: <10 нс (@3 кГц). Частота повторения: 1-3 кГц.
SSP-NSQ-EO-532-H-I - наносекундный DPSS лазер на 532 нм для применения в лидарах
Длина волны: 532 нм. Энергия импульса: 0,5 мДж (@5 кГц). Длительность импульса: <6 нс (@5 кГц). Частота повторения: 1-10 кГц.
Фильтр
Мой заказ
Мой заказ