SIN-2TE-TO8 - InGaAs PIN фотодиоды с TEC

Серия SIN-2TE-TO8 это InGaAs PIN фотодиоды с двухступенчатым термоэлектрическим охладителем для диапазона от 900 до 1700 нм.
  • Активная область 0,3 - 3 мм.
  • Чувствительность до 1,0 мА/мВт.
  • Встроенный TEC.
  • Тип корпуса TO-8.
Производитель:  LD-PD

Серия SIN-2TE-TO8 представляет собой InGaAs PIN фотодиоды с двухступенчатым термоэлектрическим охладителем и активной областью до 3 мм. Диапазон рабочих длин волн от 900 до 1700 нм. Модульный детектор данной серии состоит из фоточувствительного чипа InGaAs с PIN структурой, пластины переходного электрода, датчика температуры (TEC) и двухступенчатого термоэлектрического охладителя (2TE) в корпусе TO-8.

Важно! Использование фотодиода с превышением его максимальной мощности может привести к выходу устройства из строя или возникновению угрозы безопасности.

Параметр SIN-2TE-TO8-0300 SIN-2TE-TO8-0500 SIN-2TE-TO8-1000 SIN-2TE-TO8-2000 SIN-2TE-TO8-3000 Ед. измерения
Активная область 0,3 0,5 1 2 3 мм
Размер чипа 850×850 1000×1000 1410×1410 2560×2560 3560×3560 мкм
Размер электрода 140×180 140×180 140×180 280×360 320×480 мкм
Спектральный диапазон 900 - 1700 900 - 1700 900 - 1700 900 - 1700 900 - 1700 нм
Темновой ток (VR=0,01В) 0,1 0,2 1 4 10 мкА
Темновой ток (VR=0,5В) 0,5 1 4 10 40 мкА
Емкость 50 100 300 800 2000 пФ
Чувствительность 1 1 1 1 1 А/Вт
Полное сопротивление
3500 1000 300 80 40 МОм
NEP 8,9 х 10-15 1,5 х 10-14
3,0 х 10-14
5,9 х 10-14
8,9 х 10-14
Вт/Гц1/2
Тип корпуса TO-8 TO-8 TO-8 TO-8 TO-8 -
Максимальная скорость обнаружения 3 х 1012 3 х 1012 3 х 1012 3 х 1012 3 х 1012 -

  • Инфракрасное зондирование / радиометрия.
  • Определение характеристик светодиодов / LD-излучения.
  • Спектроскопия.
  • Медицинская диагностика.

Модель Описание
SIN-2TE-TO8-0300 InGaAs PIN фотодиод с TEC, 900 - 1700 нм, активная область 300 мкм, TO-8
SIN-2TE-TO8-0500 InGaAs PIN фотодиод с TEC, 900 - 1700 нм, активная область 500 мкм, TO-8
SIN-2TE-TO8-1000 InGaAs PIN фотодиод с TEC, 900 - 1700 нм, активная область 1 мм, TO-8
SIN-2TE-TO8-2000 InGaAs PIN фотодиод с TEC, 900 - 1700 нм, активная область 2 мм, TO-8
SIN-2TE-TO8-3000 InGaAs PIN фотодиод с TEC, 900 - 1700 нм, активная область 3 мм, TO-8

Мой заказ