R1535-F2B - микрочиповые эрбиевые лазеры с PIN-диодом

Микрочиповые эрбиевые лазеры с пассивной модуляцией добротности с PIN-диодом серии R1535-F2B от компании RealLight.
  • Длина волны: 1535 нм. 
  • Энергия импульса: 10 - 40 мкДж. 
  • Длительность импульса: 5 - 8 нс. 
  • Частота повторения: 1 - 5 кГц. 
  • Пассивная модуляция добротности.
  • Безопасное для глаз излучение.
  • Компактный дизайн.
  • Интегрированный PIN-диод.
Производитель:  REALLIGHT

Компания RealLight представляет микрочиповые эрбиевые лазеры с пассивной модуляцией добротности серии R1535-F2B. Устройства генерируют излучение с длиной волны 1535 нм, которое находится в безопасном для глаз диапазоне. Они оснащены встроенным PIN-фотодетектором, обеспечивающим выходной сигнал фотодиода (PD), стабильную энергию импульса и отсутствие хвостовых импульсов. Серия включает три модели с энергией импульса  10 - 40 мкДж, генерирующие импульсы длительностью 5 - 8 нс с частотой следования от 1 до 5 кГц (в зависимости от модели). Лазеры характеризуются профилем пучка TEM00, угловой расходимостью менее 17-20 мрад и высокой стабильностью энергии, не превышающей 3%.

Высокая надёжность, стабильность и простота интеграции делают лазеры серии R1535-F2B идеальным решением для научных и промышленных применений, где предъявляются высокие требования к точности, безопасности и стабильной работе лазерного источника в течение длительного времени.

Модельный ряд:

  1. R1535-1-5-40-F2B: частота повторения 1 кГц, энергия импульса 40 мкДж, длительность импульса 5 нс.
  2. R1535-2.5-6-20-F2B: частота повторения 2,5 кГц, энергия импульса 20 мкДж, длительность импульса 6 нс.
  3. R1535-5-8-10-F2B: частота повторения 5 кГц, энергия импульса 10 мкДж, длительность импульса 8 нс.

Параметр Значение Ед.измерения

R1535-1-5-40-F2B
R1535-2.5-6-20-F2B
R1535-5-8-10-F2B

Длина волны 1535 нм
Энергия импульса
40 20 10 мкДж
Частота повторения
1 2,5    5 кГц
Длительность импульса
5 6 8 нс
Расходимость пучка
20 17 18 мрад 
Стабильность энергии (RMS)
≤ 3 %
Рабочий ток
5
А
Профиль пучка
TEM00
Амплитуда PIN-сигнала (при сопротивлении 50 Ом)
2 В
Размер
25×8×7
мм
Вес
12 г
Температура хранения
от -45 до 80 °С
Рабочая температура
от -40 до 65 °С
Рабочее напряжение
2 В

  • Радиолокационные системы для обхода препятствий.
  • Метеорологические радары.
  • Лазерные дальномеры.

Модель Описание
R1535-1-5-40-F2B Микрочиповый эрбиевый лазер с PIN-диодом. Длина волны: 1535 нм. Энергия импульса: 40 мкДж. Длительность импульса: 5 нс. Частота повторения: 1 кГц.
R1535-2.5-6-20-F2B Микрочиповый эрбиевый лазер с PIN-диодом. Длина волны: 1535 нм. Энергия импульса: 20 мкДж. Длительность импульса: 6 нс. Частота повторения: 2,5 кГц.
R1535-5-8-10-F2B Микрочиповый эрбиевый лазер с PIN-диодом. Длина волны: 1535 нм. Энергия импульса: 10 мкДж. Длительность импульса: 8 нс. Частота повторения: 5 кГц.
Назад к разделу

Мой заказ