PL-400-SIA-AR - Si APD фотодиоды

Серия PL-400-SIA-AR – это Si APD фотодиоды для диапазона от 400 до 1100 нм в TO корпусе, с предусилителем и датчиком температуры.
  • Активная область 0,8 мм.
  • Чувствительность 150 кВ/Вт.
  • Время отклика 10 нс.
  • Корпус TO-8.
Производитель:  LD-PD

Серия PL-400-SIA-AR представляет собой Si APD фотодиод с активной областью 0,8 мм. Диапазон рабочих длин волн от 400 до 1100 нм.

Особенности: 

  • Низкий темновой ток.
  • Высокая чувствительность.
  • Высокая надежность.
  • Корпус TO-8.

Важно! Использование фотодиода с превышением его максимальной мощности может привести к выходу устройства из строя или возникновению угрозы безопасности.

Параметр Мин. Тип.  Макс.  Ед. измерения
Диапазон длин волн 400 - 1100 нм
Активная область - 0,8 - мм
Обратное напряжение пробоя1 200 - 450 В
Чувствительность - 320 - В
Чувствительность2 - 150 - кВ/Вт
Динамический диапазон3 25 - - дБ
Ширина пропускания2 - 35 - МГц
Время отклика2 - 10 - нс
NEP4 - - 0,2 пВт/Гц1/2
Обратное напряжение пробоя 200 - 450 В
Температурный коэффициент рабочего напряжения5 - 2,4 - В/℃
  1. При темновом токе 10 мкА, φe=0.
  2. При λ=1,06 мкм, M=100, TW=100 нс.
  3. При λ=1,06 мкм, M=100.
  4. При M=100, f=100 кГц.
  5. При Tc=-40℃~+70℃.

  • Оптические системы тестирования.
  • Волоконно-оптические линии связи.
  • Лазерная дальнометрия.
  • Спектрометрия.

Модель Описание
PL-400-SIA-AR0800-TO8-TIA-50 Si APD фотодетектор, 400 - 1100 нм, активная область 0,8 мм, 50 МГц, TO-8
PL-400-SIA-AR0800-TO8-TIA-130 Si APD фотодетектор, 400 - 1100 нм, активная область 0,8 мм, 130 МГц, TO-8
PL-400-SIA-AR3000-TO8-TIA-50 Si APD фотодетектор, 400 - 1100 нм, активная область 3 мм, 50 МГц, TO-8

Мой заказ