Кремниевые Si PIN фотодиоды (400 - 1100 нм)
Кремниевые PIN-фотодиоды являются оптимальным выбором для детектирования сигналов в коротковолновом диапазоне. Их ключевая особенность — наличие широкой i-области между p- и n-слоями, что значительно увеличивает зону поглощения света и повышает чувствительность устройства к фотонам. Благодаря этому, PIN-фотодиоды обеспечивают более эффективное преобразование световых сигналов. Кроме того, они характеризуются высоким быстродействием, что делает их предпочтительными в высокоскоростных приложениях, таких как оптоволоконные коммуникации.
Области применения:
- Волоконно-оптическая связь.
- Волоконные датчики.
- Оптическая дальнометрия.
- Детектирование излучения от видимого до ближнего инфракрасного диапазона.
- Обнаружение коротких оптических импульсов.
- Промышленные системы управления.
В онлайн-каталоге представлены кремниевые (Si) PIN фотодиоды в ТО-корпусах и с волоконным вводом от компании LD-PD, разработанные для работы в режиме обратного смещения.
Характеристики:
- Диапазон длин волн 400 – 1100 нм.
- Большой размер активной области.
- Низкий темновой ток.
- Быстрый отклик (от 2 нс).
- Высокая чувствительность.
- Доступны различные типы корпусов (TO-46, -5, -8; C-II; 5501; FC-SA; ADP).
- SM или PM волокно.
Специалисты компании «Специальные Системы. Фотоника» помогут вам найти оптимальное решение для ваших задач и ответят на все вопросы. Чтобы получить дополнительную информацию или оформить заказ, пожалуйста, свяжитесь с нами.
