Квадрантные фотодиоды (InGaAs и Si)





Квадрантные фотодиоды — это особые фотодетекторы, разделенные на четыре оптически активные зоны (квадранта). Каждая из этих зон работает как отдельный фотодиод, детектируя световые сигналы, что позволяет не только регистрировать интенсивность света, но и определять его положение в пространстве. Положение светового пятна на поверхности фотодиода можно определить по разнице сигналов, снимаемых с разных квадрантов. Суммируя и вычитая сигналы с каждого квадранта, можно получить точные данные о смещении пучка или светового пятна. Такие детекторы широко применяются в системах точного позиционирования, стабилизации лазерных пучков, трекинге объектов и в различных научных приборах.
Области применения:
- Лазерное наведение и позиционирование.
- Системы лазерной навигации.
- Лидары (LiDAR) и дальномеры.
- Датчики положения лазерного пучка.
- Эллипсометрия.
В разделе представлена линейка InGaAs и Si квадрантных фотодиодов от компании LD-PD, обладающих следующими характеристиками:
- Диапазон длин волн 400 - 1100 нм (Si) и 850 - 1700 нм (InGaAs).
- Активная область от 1 до 16 мм.
- Высокая однородность чувствительности каждого квадранта.
- TO-корпус.
Специалисты компании «Специальные Системы. Фотоника» готовы предоставить дополнительную информацию и подобрать решение под ваш запрос. Чтобы получить консультацию или оформить заказ, пожалуйста, свяжитесь с нами.