ГлавнаяКаталогОптические приемники. Фотодиоды и детекторыДискретные фотодиоды в ТО-корпусах и с волоконным вводомКвадрантные фотодиоды (InGaAs и Si)OVQT-QA1000 - чип InGaAs квадрантного фотодиода
OVQT-QA1000 - чип InGaAs квадрантного фотодиода
OVQT-QA1000 высокочувствительный чип InGaAs квадрантного фотодиода.
- Диапазон длин волн от 900 до 1700 нм.
- Диаметр активной области 4х1,5 мм.
- Чувствительность 0,9 А/Вт.
Производитель: LD-PD
OVQT-QA1000 это высокочувствительные чипы InGaAs квадрантных фотодиодов. Высокая спектральная чувствительность в диапазоне от 900 нм до 1700 нм.
Особенности:
- Низкие перекрестные помехи.
- Высокая надежность.
- Хорошая однородность чувствительности каждого квадранта.
- Возможна комплектация в виде чипа или в корпусе TO.
Важно! Использование фотодиода с превышением его максимальной мощности может привести к выходу устройства из строя или возникновению угрозы безопасности.
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. измерения |
|---|---|---|---|---|
| Спектральный диапазон | 900 - 1700 | нм | ||
| Диаметр фоточувствительной поверхности | 1000 | мкм | ||
|
Обратное напряжение пробоя |
40 | - | 60 | В |
|
Чувствительность (1550 нм) |
0,9 | - | - |
А/Вт |
|
Время отклика |
- | 1,5 | 3 | нс |
| Темновой ток | - | 25 | 100 | нА |
| Емкость | - | 12 |
15 |
пФ |
| Перекрестные помехи | - | 10 | - | % |
| Максимально возможный коэффициент усиления (MAG) | 20 | - | - | В |
- Лазерное наведение.
- Лазерное позиционирование.
- Лазерная навигация.
- Лазерный дальномер.
Мой заказ