ГлавнаяКаталогПозиционеры. Трансляторы. Юстировка волокон и ФИСПьезоэлектрические позиционерыСканирующие пьезоэлектрические столикиS.xy/xyz.C - сканирующие пьезоэлектрические столики
S.xy/xyz.C - сканирующие пьезоэлектрические столики
S.XY/XYZ.C - серия сканирующих пьезоэлектрических столиков.
- Размеры платформы: до 55 × 55 × 45 мм.
- Перемещение по осям XYZ: до 240 мкм.
- Режим обратной связи с разрешением до 1,5 нм.
- Диапазон рабочих температур от 15 до 40 °C.
- Варианты исполнения: немагнитное (.NM), для сверхвысокого вакуума до 2Е-11 мбар (.UHV), для высокого вакуума до 1E-7 мбар (.HV).
- Совместимость с контроллером Archimedes.Nx.
Производитель: MULTIFIELDS TECHNOLOGIES
Пьезопозиционеры S.XY/XYZ.C поддерживают работу в режиме обратной связи и без неё.
Для работы без обратной связи существует режим точной настройки, представляющий собой метод управления движением, при котором пьезоэлементы вместо непрерывной последовательности высокочастотного сигнала напряжения пилообразной формы управляются аналоговым сигналом. Благодаря высокому разрешению аналогового сигнала, платформа может достигать большей точности позиционирования до 0,4 нм. Подробнее о режимах управления пьезопозиционерами MultiFIelds в материале.
Параметр | Значение | Ед. Измерения | |||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Модель | S100.XY.C | S200.XY.C | S100.XYZ.C | S200.XYZ.C | |||||
Исполнение | .NM*, .HV**, .UHV*** |
|
|||||||
Оси перемещения |
X, Y |
X, Y, Z | |||||||
Габаритные разеры | 55 х 55 х 27 | 55 х 55 х 30 | 55 х 55 х 40 | 55 х 55 х 40 | мм | ||||
Материал корпуса |
Алюминиевый сплав
Нержавеющая сталь |
||||||||
Перемещение (с обратной связью)
|
100 х 100 |
200 х 200 | 100 х 100 х 100 | 200 х 200 х 200 |
мкм
|
||||
Перемещение (без обратной связи) | 120 х 120 | 240 х 240 | 120 х 120 х 120 | 240 х 240 х 240 | мкм | ||||
Разрешение( с обратной связью)
|
1 | 1,5 | 1 | 1,5 | нм | ||||
Разрешение (без обратной связи)
|
0,2 | 0,4 | 0,2 | 0,4 | нм | ||||
Резонансная частота | 400, 350 | 300, 250 | 400, 350, 300 | 300, 250, 200 | Гц | ||||
Жесткость
|
0,5 | 0,25 | 0,5 | 0,25 | Н/мкм | ||||
Ошибка линеарности | 0,03 | % | |||||||
Тип датчика
|
Емкостной | ||||||||
Рабочая температура
|
15 - 40 |
°C |
|||||||
Максимальное управляющее напряжение
|
150 |
В
|
|||||||
Тип кабеля |
D-Sub 3W3
|
|
|||||||
*.NM - немагнитное исполнение. **.HV - исполнение для высокого вакуума до 1E-7 мбар. **.UHV - исполнение для сверхвысокого вакуума (2E-11 мбар). |
- Нанотехнологии и микросистемная техника.
- Производство интегральных схем и полупроводниковых устройств.
- Создание наноструктур.
- Научные исследования.
- Измерение высоких энергий.
- Микроскопия сверхвысокого разрешения.
- Электронная и сканирующая зондовая микроскопия.
- Дифрактометрия.