S100.XYZ.P - сканирующие пьезоэлектрические столики
- Размеры платформы 40 × 40 × 40 мм.
- Перемещение X, Y, Z 100 × 100 × 100 мкм.
- Режим обратной связи с разрешением до 1 нм.
- Нагрузка до 200 г.
- Диапазон рабочих температур от 15 до 40 °C.
- Варианты исполнения: стандартное, .HV, .UHV, .NM, .HV.NM, .UHV.NM.
- Совместимость с контроллером серии Archimedes.Nx.
Трехосевой пьезоэлектрический столик S100.XYZ.P обеспечивает позиционирование по осям X, Y и Z с диапазоном перемещения 100 мкм по каждой оси. Компактная кубическая конструкция (40 × 40 × 40 мм) объединяет три степени свободы в одном устройстве.Устройство поддерживает работу в режиме обратной связи и без неё. В режиме обратной связи емкостные датчики обеспечивают разрешение 1 нм и повторяемость 6 нм. Режим точной настройки без обратной связи позволяет достичь разрешения до 0,5 нм за счет аналогового управления пьезоэлементами.
Конструкция из алюминиевого сплава и стали (в немагнитных исполнениях – титана) обеспечивает жесткость 0,6 Н/мкм и совместимость с вакуумом до 2×10⁻¹¹ мбар. Столик доступен в шести исполнениях: стандартное, .HV, .UHV, .NM, .HV.NM и .UHV.NM. Максимальная нагрузка составляет 200 г. Управление осуществляется контроллерами серии Archimedes.Nx.
| Параметр | Значение | Ед. Измерения | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Исполнение |
|
|
||||||
| Стандартное1 | ✔ | |||||||
| .HV2 | ✔ | |||||||
| .UHV3 | ✔ | |||||||
| .NM4 | ✔ | |||||||
| .HV.NM5 | ✔ | |||||||
| .UHV.NM6 | ✔ | |||||||
| Оси перемещения | X, Y, Z | |||||||
| Размеры (Ш х Д х В) | 40 × 40 × 40 | мм | ||||||
| Материал корпуса (стандартное исп., .HV, .UHV) |
Алюминиевый сплав, Сталь |
|||||||
| Материал корпуса (немагнитное исп.) | Алюминиевый сплав, Титан | |||||||
|
Масса (стандартное исп., .HV, .UHV)
|
200 | г | ||||||
| Масса (немагнитное исп.) | 190 | г | ||||||
| Перемещение (режим обратной связи) | 100 × 100 × 100 | мкм | ||||||
| Разрешение (с обратной связью) | 1,0 | нм | ||||||
| Разрешение (без обратной связи) | 0,5 | нм | ||||||
| Повторяемость | 6 | нм | ||||||
| Линейность | 0,02 | % | ||||||
| Жесткость | 0,6 | Н/мкм | ||||||
| Резонансная частота (без нагрузки) | 750 (X, Y, Z) | Гц | ||||||
| Резонансная частота (нагрузка 0,2 кг) | 230 (X, Y, Z) | |||||||
| Максимальная нагрузка | 200 | г | ||||||
| Тип датчика | Емкостной | |||||||
| Максимальное управляющее напряжение | 150 | В | ||||||
| Длина кабеля / Разъем |
1 м, экранированный кабель (D-Sub 7W2) Для .UHV: SMA |
|||||||
2) .HV - исполнение для высокого вакуума до 2E-7 мбар.
3) .UHV - исполнение для сверхвысокого вакуума до 2E-11 мбар.
4) .NM - полностью немагнитное исполнение.
5) .HV.NM - исполнение для высокого вакуума с полной немагнитностью.
6) .UHV.NM - исполнение для сверхвысокого вакуума с полной немагнитностью.
- Нанотехнологии и микросистемная техника.
- Производство интегральных схем и полупроводниковых устройств.
- Создание наноструктур.
- Научные исследования.
- Измерение высоких энергий.
- Микроскопия сверхвысокого разрешения.
- Электронная и сканирующая зондовая микроскопия.
- Дифрактометрия.




