ГлавнаяКаталогПозиционеры. Трансляторы. Юстировка волокон и ФИСПьезоэлектрические позиционерыСканирующие пьезоэлектрические столикиScanner25-x.Ultra - сканирующие пьезоэлектрические столики
Scanner25-x.Ultra - сканирующие пьезоэлектрические столики
Scanner25-x.Ultra - серия сканирующих пьезоэлектрических столиков.
- Размеры платформы 25 × 25 × 10,5 мм.
- Совместимы со сверхвысоким вакуумом до 2 E-11 мбар.
- Сделаны из немагнитного композита Ti & BeCu.
- Совместимы с магнитным полем 35 Тл.
- Нагрузка до 250 г.
- Перемещение до 55 мкм.
- Разрешение до 0,5 нм.
- Совместимость с контроллером ArchimedesLT.03.
Производитель: MULTIFIELDS TECHNOLOGIES
Параметр | Значение | Ед. Измерения | |||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Исполнение
|
.HV* (стандартное) | .ULT** | .UHV*** | .ULT.UHV**** | |||
Размеры (Ш х Д х В)
|
25 × 25 × 10,5 | мм | |||||
Масса
|
80 | г | |||||
Условия окружающей среды
|
|||||||
Температурный диапазон
|
1,4 ~ 400 | К | |||||
Совместимость с вакуумом
|
1,00E-07 | мбар | |||||
Максимальное магнитное поле
|
35 | Тл | |||||
Опция 1 30 мК
|
да | да | |||||
Опция 2 2е-11 мбар
|
да | да | |||||
Материал корпуса
|
Ti | BeCu | Ti | BeCu | |||
Коннекторы
|
Витые спаренные провода из люминофорной бронзы | ||||||
Количество пинов
|
2 | шт. | |||||
Оси сканирования
|
Х | ||||||
Диапазон перемещения при 300 К
|
55 | мкм | |||||
Диапазон перемещения при 4 К | 30 | мкм | |||||
Напряжение привода
|
Maкс. 75 В при 300 K, Maкс. 150 В при 4 K | ||||||
Максимальная нагрузка
|
250 | г | |||||
Емкость при 300 К
|
7 | мкФ | |||||
Тип датчика
|
Емкостной | ||||||
Разрешение датчика
|
0,5 | нм | |||||
Линейность | 0,1 | % | |||||
Повторяемость
|
< 5 | нм | |||||
*.HV - стандартное исполнение для высокого вакуума: температура окружающей среды 1,4 - 400 К, вакуум до 1E-7 мбар. **.ULT- низкотемпературное исполнение: температура окружающей среды до 30 мК, вакуум до 1E-7 мбар. ***.UHV - исполнение для сверхвысокого вакуума: температура окружающей среды 1,4 - 400 К, вакуум до 2E-11 мбар. ****.ULT.UHV - низкотемпературное исполнение для сверхвысокого вакуума: температура окружающей среды до 30 мК, вакуум до 2 E-11 мбар. |
- Нанотехнологии и микросистемная техника.
- Производство интегральных схем и полупроводниковых устройств.
- Создание наноструктур.
- Научные исследования.
- Измерение высоких энергий.
- Микроскопия сверхвысокого разрешения.
- Электронная и сканирующая зондовая микроскопия.
- Дифрактометрия.
- Измерение диэлектрических/сегнетоэлектрических свойств, коэффициента магнитоэлектрической связи, теплопередачи, коэффициента термоЭДС, FMR (ферромагнитный резонанс).