SD15.x.C - сканирующие пьезоэлектрические столики

SD15.x.C - серия сканирующих пьезоэлектрических столиков.
  • Размеры платформы 62 × 40 × 13,5 мм.
  • Перемещение по оси Х 15 мкм.
  • Режим обратной связи.
  • Разрешение 0,1 нм.
  • Емкостной датчик.
  • Нагрузка до 300 г.
  • Диапазон рабочих температур от - 20 до 80 °C.
  • Исполнения для высокого (1E-7 мбар) и сверхвысокого (2Е-11 мбар) вакуума.
Производитель:  MULTIFIELDS TECHNOLOGIES
 

Параметр         Значение             Ед. Измерения  
Исполнение
Стандартное .HV* .UHV**  
Оси перемещения
X  
Размеры (Ш х Д х В)
62 × 40 × 13,5 мм
Материал корпуса
Алюминиевый сплав
 
Перемещение (режим обратной связи)
15
мкм
Масса
250 г
Температурный диапазон
-20 — 80
°C
Разрешение
0,1 нм
Повторяемость
2
нм
Ошибка линеаризации 
0,035  %
Тангаж / Рыскание
2 / 2
мкрад
Резонансная частота
3,3
кГц
Резонансная частота (300 г)
1
кГц
Жесткость 28 Н/мкм
Тип встроенного датчика (режим обратной связи)
Емкостной 
 
Длина кабеля
1 (D-Sub 3W3 разъемы)
м  
*.HV - исполнение для высокого вакуума до 1E-7 мбар.
**.UHV - исполнение для сверхвысокого вакуума 2E-11 мбар.

  • Нанотехнологии и микросистемная техника.
  • Производство интегральных схем и полупроводниковых устройств.
  • Создание наноструктур.
  • Научные исследования.
  • Измерение высоких энергий.
  • Микроскопия сверхвысокого разрешения.
  • Электронная и сканирующая зондовая микроскопия.
  • Дифрактометрия.

Модель Описание
SD15.x.C Сканирующий пьезоэлектрический столик. Размеры платформы 62 × 40 × 13.5 мм. Нагрузка до 300 г. Перемещение до 15 мкм. Режим обратной связи, определение положения с разрешением до 0,1 нм.
SD15.x.C.HV Сканирующий пьезоэлектрический столик. Размеры платформы 62 × 40 × 13.5 мм. Нагрузка до 300 г. Перемещение до 15 мкм. Режим обратной связи, определение положения с разрешением до 0,1 нм. Исполнение для высокого вакуума (1Е-7 мбар).
SD15.x.C.UHV Сканирующий пьезоэлектрический столик. Размеры платформы 62 × 40 × 13.5 мм. Нагрузка до 300 г. Перемещение до 15 мкм. Режим обратной связи, определение положения с разрешением до 0,1 нм. Исполнение для сверхвысокого вакуума (2Е-11 мбар).
Назад к разделу

Мой заказ