MCB-532 - серия микрочиповых лазеров с длительностью 500 пс и энергией до 80 мкДж, длина волны 532 нм

  • Длина волны: 532 нм. 
  • Энергия импульса: до 80 мкДж. 
  • Длительность импульса: 500 пс. 
  • Частота повторения: 0,1 кГц. 
  • Профиль пучка TEM00.
  • Герметичность, высокая надежность.
  • Стабильность поляризации.
 

Параметр Значение Ед.измерения
Оптические параметры
Длина волны
532 нм
Частота повторения
0,1 кГц
Средняя мощность
8 мВт
Энергия импульса
80 мкДж
Длительность импульса
500 пс 
Стабильность мощности (8ч)
±3% %
Профиль пучка
TEM00
Расходимость пучка
(горизонтальная/вертикальная)
6/6 мрад
Поляризация
>100:1
Параметры системы
Источник питания
100-240 В AC, 50/60 Гц
Управляющий интерфейс
RS232, USB
Энергопотребление
≤ 20 Вт
Размер блока питания
168×88×140 мм
Размер лазерной головки
45×30×120 мм
Рабочая температура
15..35
Температура хранения
0..60

  • Задающие генераторы.
  • Микрообработка.
  • Биомедицина.
  • Лазерная ионизационная масс-спектроскопия (LIMS).
  • Спектроскопия лазерного пробоя (LIBS).
  • Лазерно-индуцированная флуоресценция (LIF).
  • Спектроскопия лазерно-индуцированной плазмы (LIPS).
  • Нелинейная оптика.

 
Модель Описание
MCB-532-0.1-080 Микрочиповый лазер. Длина волны: 532 нм. Энергия импульса: до 80 мкДж. Длительность импульса: 500 пс. Частота повторения: 0,1 кГц. 
Назад к разделу

Мой заказ