MCO-532-02-01 - микрочиповый лазер с волоконным выводом
- Длина волны: 532 нм.
- Энергия импульса: 25 мкДж.
- Длительность импульса: 1 нс.
- Частота повторения: 1 - 200 Гц.
- Герметичность корпуса, высокая надежность.
- Волоконный вывод излучения.
- Управление с помощью ПО.
- Возможна регулировка энергии.
Компания RealLight представляет микрочиповый твердотельный лазер с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности модели MCO-532-02-01 с волоконным выводом излучения. Излучатель предназначен для работы на длине волны 532 нм и генерирует импульсы длительностью менее 1 нс с максимальной энергией до 25 мкДж. Энергию импульса можно изменять посредством управления с персонального компьютера. Частота следования импульсов регулируется в диапазоне от 1 до 200 Гц. В лазерный источник интегрирован электронный модуль управления для регулировки энергии, модуль фотодетектора и плата управления лазером. Джиттер выходного сигнала фотодиода составляет менее 100 пс. Для передачи излучения используется оптическое волокно, характеризующееся диаметром сердцевины 200 мкм и числовой апертурой 0,22.
Герметичный корпус предотвращает попадание пыли и влаги, что существенно повышает надёжность и срок службы лазера. В комплект поставки входит программное обеспечение для управления с ПК. Интерфейс управления реализован через RS-232. Максимальная потребляемая мощность не превышает 15 Вт. Излучатель модели MCO-532-02-01 применяется а таких областях как спектроскопия (LIBS), фотолюминесценция, лазерно-индуцированная флуоресценция (LIF), рамановская спектроскопия, лидарные системы и др.
| Параметр | Значение | Ед.измерения | ||
|---|---|---|---|---|
|
Оптические параметры
|
|
|
||
|
Длина волны
|
532 | нм | ||
|
Частота следования импульса
|
1 - 200 | Гц | ||
| Регулировка точности энергии на выходе | 1 | % | ||
|
Энергия импульса
|
25 | мкДж | ||
|
Длительность импульса
|
≤ 1 | нс | ||
|
Стабильность энергии (8 часов)
|
≤ 3 | % | ||
|
Волокно
|
200 мкм / 0,22 NA |
|
||
|
Поляризация
|
≥ 100:1 |
|
||
|
Параметры системы
|
|
|
||
|
Источник питания
|
24 | В перем. тока | ||
| Модуляция сигнала | TTL 0-5 В, разъем SMB | |||
|
Управляющий интерфейс
|
RS232 |
|
||
|
Средняя потребляемая мощность
|
≤ 15 | Вт | ||
|
Пиковая потребляемая мощность
|
≤ 30 | Вт | ||
|
Размер лазера
|
82×79×250 | мм | ||
|
Рабочая температура
|
15 - 35 | °С | ||
|
Температура хранения
|
от -10 до 60 | °С | ||
- Лазерная гравировка.
- Лазерно-индуцированный пробой.
- Спектроскопия (LIBS).
- Лазерная фотолюминесценция.
- Лазерная маркировка.
- Лазерная захватывающая микродиссекция.
- Лазерно-индуцированная флуоресценция (LIF).
- Лазерная масс-спектрометрия.
- Ультрафиолетовая микроскопия.
- Рамановская спектроскопия.
- Лидары.
- Лазерное скрайбирование и обработка тонких пленок.
- Проверка полупроводников.
- Фотоакустическая визуализация.
- Лазерно-индуцированная искра.
- Лазерное дистанционное зондирование.









