MCO-532-02-02 - микрочиповый лазер с выводом в свободное пространство

Микрочиповый лазер модели MCО-532-02-02 с пространственным выводом излучения от компании RealLight.
  • Длина волны: 532 нм. 
  • Энергия импульса: 30 мкДж. 
  • Длительность импульса: 1 нс. 
  • Частота повторения: 1 - 200 Гц.
  • Герметичность корпуса, высокая надежность.
  • Управление с помощью ПО.
  • Возможна регулировка энергии.
  • Пространственный вывод излучения.
Производитель:  REALLIGHT

Микрочиповый твердотельный лазер MCO-532-02-02 от компании RealLight - это компактный излучатель с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности, работающий на длине волны 532 нм. Устройство генерирует импульсы длительностью менее 1 нс с регулируемой энергией до 30 мкДж. Управление энергией импульсов осуществляется непосредственно с персонального компьютера. Частота следования импульсов регулируется в широком диапазоне от 1 до 200 Гц. Конструкция лазера включает в себя несколько интегрированных модулей: электронный блок для регулировки энергии, встроенный фотодетектор и плату управления. Оптические характеристики лазера: пучок имеет профиль пучка TEM00​, а угловая расходимость по уровню 1/e2 не превышает 2 мрад в обеих плоскостях. Джиттер выходного сигнала фотодиода составляет менее 100 пс.

Лазер выполнен в герметичном корпусе, что гарантирует высокую надежность работы в различных условиях. В комплекте поставляется специализированное программное обеспечение для управления всеми параметрами с ПК. Связь с устройством осуществляется через интерфейс RS-232, а энергопотребление не превышает 15 Вт. Благодаря своим техническим характеристикам, лазер MCO-532-02-02 находит применение в таких областях, как лазерная гравировка, лазерно-индуцированный пробой, спектроскопия LIBS, фотолюминесценция, маркировка, рамановская спектроскопия и лидарные системы.

Параметр Значение Ед.измерения
Оптические параметры


Длина волны
532 нм
Частота следования импульса
1 - 200 Гц
Регулировка точности энергии на выходе 1 %
Энергия импульса
30 мкДж
Длительность импульса
≤ 1 нс
Стабильность энергии (8 часов)
≤ 3 %
Профиль пучка
TEM00
Расходимость пучка (по уровню 1/e2)
(горизонтальная/вертикальная)
≤ 2
мрад
Поляризация
≥ 100:1
Параметры системы


Источник питания
24 В перем. тока
Модуляция сигнала TTL 0-5 В, разъем SMB  
Управляющий интерфейс
RS232
Средняя потребляемая мощность
≤ 15 Вт
Пиковая потребляемая мощность
≤ 30 Вт
Размер лазера
82×102,8×240 мм
Рабочая температура
15 - 35 °С
Температура хранения
0 - 60 °С

  • Лазерная гравировка.
  • Лазерно-индуцированный пробой.
  • Спектроскопия (LIBS).
  • Лазерная фотолюминесценция.
  • Лазерная маркировка.
  • Лазерная захватывающая микродиссекция.
  • Лазерно-индуцированная флуоресценция (LIF).
  • Лазерная масс-спектрометрия.
  • Ультрафиолетовая микроскопия.
  • Рамановская спектроскопия.
  • Лидары.
  • Лазерное скрайбирование и обработка тонких пленок.
  • Проверка полупроводников.
  • Фотоакустическая визуализация.
  • Лазерно-индуцированная искра.
  • Лазерное дистанционное зондирование.

Модель Описание
MCO-532-02-02 Микрочиповый лазер c выводом в свободное пространство. Длина волны: 532 нм. Энергия импульса: 30 мкДж. Длительность импульса: 1 нс. Частота повторения: 1 - 200 Гц.
Назад к разделу

Мой заказ