LP-ML1001 - DFB лазерный диод с прямой модуляцией

DFB лазерный диод с прямой модуляцией от LD-PD (Сингапур).
  • Полоса пропускания от 10 МГц до 18 ГГц.
  • Центральная длина волны 1550/1310 нм.
  • Выходная мощность до 10 дБм.
  • 7-pin корпус.
  • RIN -150 дБ/Гц.
Производитель:  LD-PD

DFB лазерный диод с прямой модуляцией от LD-PD (Сингапур) обеспечивает исключительную производительность для аналоговой оптоволоконной связи в применениях с широкой полосой пропускания. Лазерные диоды серии ML1001 являются отличной альтернативой использованию коаксиальных кабельных систем для передачи сигналов в диапазоне от 10 МГц до 18 ГГц. Устройства обеспечивают значительное повышение надежности сетей РЧ связи за счет передачи РЧ-сигнала в его исходном формате. Благодаря этим свойствам лазерные модули обеспечивают значительное улучшение качества сигнала для широкого круга приложений, включая дистанционное управление антеннами, телеметрию, синхронизацию и распределение опорных сигналов, измерения и линии задержки. Эти диоды предлагаются в стандартном 7-контактном корпусе-бабочке с радиочастотным (K) разъёмом, внутренним термоэлектрическим охладителем, изолятором и волоконным пигтейлом, поддерживающим поляризацию (PM), с разъёмами FC/APC. Другие конфигурации, такие как без изолятора, с одномодовым волокном и прочие, доступны по запросу.

Особенности:

  • Высокий динамический диапазон.
  • Полоса пропускания от 10 МГц до 18 ГГц.
  • Низкий пороговый ток.
  • Высокая выходная мощность.
  • Рабочая температура корпуса: от -40 до 85 °C.
  • Высокая надежность.

Параметр Мин. Тип. Макс. Ед. измерения
Оптическая выходная мощность 8 10 - дБм
Пороговый ток - 10 - мА
Рабочий ток - 55 100 мА
Рабочее напряжение - 1,5 2,5 В
Центральная длина волны - 1310 - нм
Эффективность наклона
0,2 - - Вт/А
SMSR 30 - - дБ
RIN - -150 -130 дБ/Гц
Полоса пропускания - 18 - ГГц
Обратные потери - -10 -6 дБ
Входная амплитуда сжатия 1 дБ - 18 - дБм
Ёмкость (ФД) - - 20 пФ
Протекающий ток 0,05 - 2 мА
Темновой ток (ФД) - - 50 нА
Оптическая изоляция - 30 - дБ
PER 17 20 25 дБ
Сопротивление TEC - 10 - кОм
Ток TEC
- - 1,2 А
Напряжение TEC - - 2,5 В
Прямой ток лазерного диода - - 120 мА
Обратное напряжение лазерного диода - - 1 В
Обратный ток ФД - - 2 мА
Рабочий температурный диапазон -40 - +85 ºС
Влажность - - 85 %
Импеданс - 50 - Ом
Тип выходного коннектора FC/APC -
Тип входного разъема K102F/2.92 мм(K) Female
-

  • Удалённые антенны.
  • Высокоскоростная оптическая связь.
  • Квантовая генерация случайных чисел с переключением коэффициента усиления.
  • Радиочастотная фотоника.
  • Лабораторные испытания и измерения.

Модель Описание
LP-ML1001A-31-FA Лазерный диод с прямой модуляцией до 10 ГГц, 1310 нм, 6,31 мВт.
LP-ML1001B-31-FA Лазерный диод с прямой модуляцией до 15 ГГц, 1310 нм, 6,31 мВт.
LP-ML1001C-31-FA Лазерный диод с прямой модуляцией до 18 ГГц, 1310 нм, 6,31 мВт.
LP-ML1001D-31-FA Лазерный диод с прямой модуляцией до 20 ГГц, 1310 нм, 6,31 мВт.
LP-ML1001A-55-FA Лазерный диод с прямой модуляцией до 10 ГГц, 1550 нм, 6,31 мВт.
LP-ML1001B-55-FA Лазерный диод с прямой модуляцией до 20 ГГц, 1550 нм, 6,31 мВт.
LP-ML1001C-55-FA Лазерный диод с прямой модуляцией до 18 ГГц, 1550 нм, 6,31 мВт.
LP-ML1001X-XX-XX Лазерный диод с прямой модуляцией, (требуется указать параметры).
Назад к разделу

Мой заказ