PL-DFB-1962-TO39 - 1962 нм DFB лазерный диод

Name: PL-DFB-1962-TO39 - 1962 нм DFB лазерный диод
Brand: LD-PD

PL-DFB-1962-TO39 - серия DFB лазерных диодов в корпусе TO-39 с центральной длиной волны 1962 нм.

Центральная длина волны 1962 нм.
Ширина спектральной линии <2 МГц.
Выходная мощность до 6 мВт.
Корпус TO-39.

Производитель: LD-PD

Узнать цену

Задать вопрос

DFB лазерные диоды серии PL-DFB-1962-TO39 представляют собой источники когерентного излучения с центральной длиной волны 1962 нм. DFB чип лазерного диода упакован в стандартный герметичный корпус TO-39 со встроенными TEC и PD.

Особенности:

Узкая ширина спектральной линии <2 МГц.
Превосходный контроль длины волны и высокая стабильность.
Возможность регулировки длины волны без скачков мод.
Высокая надежность.

Спектр:

Перестроечная характеристика:

1962.1.jpeg

Ширина спектральной линии:

3F}3~5GMTW8F9$)8_GB@VSG.png

График зависимости выходной мощности от тока:

1984.1.png

Качество пучка:

Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. измерения
Электрические/оптические характеристики
Центральная длина волны	1961	1962	1963	нм
SMSR	30	40	-	дБ
Пороговый ток	-	20	30	мА
Рабочий ток	-	80	120	мА
Выходная мощность	4	5	6	мВт
Квантовая эффективность	0,08	0,12	-	мВт/мА
Коэффициент перестройки током	-	0,015	-	нм/мА
Коэффициент перестройки температурой	-	0,12	-	нм/К
Прямое напряжение	-	1,3	2	В
Сопротивление термистора	9,5	10	10,5	кОм
Температурный коэффициент термистора	-	-4,4	-	%/°С
Тип корпуса	TO-39			-
Абсолютные предельные значения
Температура корпуса	-5	+25	+70	°С
Температура чипа	+10	+25	+40	°С
Рабочий ток	0	100	150	мА
Прямое напряжение	0,8	1,2	1,8	В
Ток TEC	-	-	1,2	А
Обратное напряжение (ЛД)	-	-	2	В
Обратное напряжение (ФД)	-	-	20	В

Диодно-лазерная абсорбционная спектроскопия (TDLAS).
Мониторинг HBr.

PL-DFB-1962-TO39 - 1962 нм DFB лазерный диод 948.1(Kб)

Модель	Описание
PL-DFB-1962-A-A81-TO39	DFB лазерный диод, 1962 нм, 5 мВт, TO-39

Назад к разделу